氮化鎵（ GaN）是制造SG芯片的材料，氮化鋁LED燈可發(fā)出紫外光?；卮鹣铝袉栴}：
（1）Ga的價電子排布式為

4s²4p¹

4s²4p¹

，該基態(tài)原子占據(jù)最高能級的電子云輪廓圖形狀為

啞鈴形

啞鈴形

，下列狀態(tài)的鋁中，電離最外層的一個電子所需能量最小的是

D

D

（填字母）。
A．[Ne]
B．[Ne]
C．[Ne]
D．[Ne]
（2）8-羥基喹啉鋁常用于發(fā)光材料電子傳輸材料，可由LiAlH₄與   合成。LiAlH₄中陰離子的空間構(gòu)型為

正四面體

正四面體

， 所含元素中電負(fù)性最大的是

O

O

（填元素符號），N的雜化方式為

sp²

sp²

。
（3）金屬晶體Al、Ga的熔點(diǎn)分別為660℃、30℃，Al比Ga熔點(diǎn)高的原因是

Al、Ga均為金屬晶體，且二者的價電子數(shù)相同，但Al的原子半徑比Ga的原子半徑小，所以Al的熔點(diǎn)高

Al、Ga均為金屬晶體，且二者的價電子數(shù)相同，但Al的原子半徑比Ga的原子半徑小，所以Al的熔點(diǎn)高

。
（4）氮化鎵為六方晶胞，結(jié)構(gòu)如圖1所示。該晶體密度為ρg?cm^-3，晶胞參數(shù)a=b≠c（單位：pm），a、b夾角為120°，阿伏加德羅常數(shù)的值為N_A，則晶胞參數(shù)c=

112

3

×

10

30

N

A

a

2

ρ

112

3

×

10

30

N

A

a

2

ρ

pm（用含a、ρ、N_A的代數(shù)式表示）。
（5）在立方晶胞中，與晶胞體對角線垂直的面在晶體學(xué)中稱為（1，1，1）晶面。如圖2，該立方晶胞中（1，1，1）晶面共有

8

8

個。