鉑鈷合金是以鉑為基含鈷二元合金，在高溫下，鉑與鈷可無限互溶，其固體為面心立方晶格。鉑鈷合金磁性極強，磁穩(wěn)定性較高，耐化學(xué)腐蝕性很好，主要用于航天航空儀表、電子鐘表、磁控管等。氟及其化合物CuF用途非常廣泛。回答下列問題：
（1）聚四氟乙烯是一種準(zhǔn)晶體，準(zhǔn)晶體是一種無平移周期序，但有嚴(yán)格準(zhǔn)周期位置序的獨特晶體，可通過X-射線衍射實驗X-射線衍射實驗方法區(qū)分晶體、準(zhǔn)晶體和非晶體。
（2）基態(tài)F原子的價層電子排布圖（軌道表達式）為
。
（3）[H2F]+[SbF6]ˉ（氟銻酸）是一種超強酸，存在[H2F]+，該離子的空間構(gòu)型為V形V形，與[H2F]+具有相同空間構(gòu)型且中心原子與F原子同周期的分子是H2OH2O。
（4）NH4F（氟化銨）可用于玻璃的蝕刻防腐劑、消毒劑。NH4+中心原子的雜化類型是sp3sp3；氟化銨中存在ABAB（填字母）。
A．離子鍵 B．σ鍵 C．π鍵 D．氫鍵
（5）SF6被廣泛用作高壓電氣設(shè)備的絕緣介質(zhì)。SF6是一種共價化合物，可通過類似于Bom-Haber循環(huán)能量構(gòu)建能量圖（如圖1）計算相關(guān)鍵能。則F-F鍵的鍵能為155155kJ/mol,S-F鍵的鍵能為327327kJ/mol。
（6）CuCl的熔點為326℃，能升華，熔化呈液態(tài)時不導(dǎo)電；CuF的熔點為1008℃，熔化呈液態(tài)時能導(dǎo)電。
①CuF中Cu+的基態(tài)價電子排布式3d103d10銅元素位于元素周期dsds區(qū)，金屬Cu的堆積模型為面心立方最密堆積面心立方最密堆積。
②CuF的熔點比CuCl的高，原因是CuF為離子晶體，CuCl為分子晶體CuF為離子晶體，CuCl為分子晶體
③已知NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，CuF的密度為7.1g/cm3，晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，則CuF的晶胞參數(shù)a=34×837.1NA×10734×837.1NA×107nm（列出計算式）
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【答案】X-射線衍射實驗；；V形；H2O；sp3；AB；155；327；3d10；ds；面心立方最密堆積；CuF為離子晶體，CuCl為分子晶體；×107
；V形；H2O；sp3；AB；155；327；3d10；ds；面心立方最密堆積；CuF為離子晶體，CuCl為分子晶體；3
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【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：19引用：1難度：0.5
相似題
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍色沉淀溶解，得到深藍色溶液，再向深藍色透明溶液中加入乙醇，析出深藍色晶體．藍色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．碳及其化合物有著重要用途。回答下列問題：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構(gòu)成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
3．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7
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