半導(dǎo)體晶體是半導(dǎo)體工業(yè)的主要基礎(chǔ)原料，第一代半導(dǎo)體代表材料是鍺（Ge）單晶和硅單晶（Si），他們的出現(xiàn)實(shí)現(xiàn)了超大規(guī)模集成電路，第二代砷化鎵（GaAs）等化合物半導(dǎo)體制成的激光器成為光通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵器件，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、金剛石、氮化鋁（AlN）等屬于第三代半導(dǎo)體材料，又被稱(chēng)為高溫半導(dǎo)體材料。
（1）Ge的核外電子排布式為[Ar]

3d¹⁰4s²4p²

3d¹⁰4s²4p²

，其能量最高的能級(jí)中電子的排布遵守

洪特規(guī)則

洪特規(guī)則

。
（2）第四周期第一電離能介于Ga和As之間的主族元素有

Ca、Ge、Se

Ca、Ge、Se

（寫(xiě)元素符號(hào)），砷化鎵可由（CH₃）₃Ga和AsH₃在700℃下反應(yīng)制得，AsH₃的空間構(gòu)型為

三角錐形

三角錐形

，（CH₃）₃Ga中Ga的雜化方式為

sp²

sp²

。
（3）NH₃，PH₃，AsH₃還原性由大到小順序?yàn)?

AsH₃＞PH₃＞NH₃

AsH₃＞PH₃＞NH₃

，沸點(diǎn)由大到小順序?yàn)?

NH₃＞AsH₃＞PH₃

NH₃＞AsH₃＞PH₃

，鍵角由大到小順序?yàn)?

NH₃、PH₃、AsH₃

NH₃、PH₃、AsH₃

，鍵角變化規(guī)律的原因是

中心原子電負(fù)性越大，與H原子之間的共用電子對(duì)離中心原子越近，成鍵電子對(duì)之間斥力越大，鍵角越大

中心原子電負(fù)性越大，與H原子之間的共用電子對(duì)離中心原子越近，成鍵電子對(duì)之間斥力越大，鍵角越大

。
（4）碳化硅結(jié)構(gòu)與金剛石類(lèi)似，C原子為面心立方堆積，Si原子填在C原子組成的四面體空隙中，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖并建立起圖示坐標(biāo)系，以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱(chēng)作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)，已知頂點(diǎn)C的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（0，0，0），若將離原點(diǎn)最近的Si移至原點(diǎn)，則剩余三個(gè)Si的坐標(biāo)分別為

（

1

2

，

1

2

，0）、（

1

2

，0，

1

2

）、（0，

1

2

，

1

2

）

（

1

2

，

1

2

，0）、（

1

2

，0，

1

2

）、（0，

1

2

，

1

2

）

，若晶胞密度為ρ g?cm^-3，阿伏加德羅常數(shù)為N_A，則兩個(gè)最近的Si之間的距離為

2

2

×

3

4

×

（

12

+

28

）

ρ

N

A

×10¹⁰

2

2

×

3

4

×

（

12

+

28

）

ρ

N

A

×10¹⁰

pm（列出計(jì)算表達(dá)式）。