當(dāng)前位置： 2022年湖南省湘西州瀘溪一中高考化學(xué)第三次聯(lián)考試卷> 試題詳情

氧化鋅在液晶顯示器、薄膜晶體管、發(fā)光二極管等產(chǎn)品中均有應(yīng)用，常用下列三種鋅鹽為原料經(jīng)高溫分解制備。

回答下列問題：
（1）Zn為30號元素，它在元素周期表中的位置是
第四周期ⅡB族
第四周期ⅡB族
。
（2）原料Ⅰ中陰離子空間結(jié)構(gòu)為
平面三角形
平面三角形
，其等電子體為
NO₃^-或SO₃
NO₃^-或SO₃
（寫出1種即可）。
（3）原料Ⅱ、Ⅲ陰離子對應(yīng)的酸沸點較高的是
HOOC-COOH
HOOC-COOH
（寫結(jié)構(gòu)簡式），原因是
草酸的相對分子質(zhì)量高于醋酸，同時草酸存在兩個羧基結(jié)構(gòu)，可以分別與其他分子形成分子間氫鍵
草酸的相對分子質(zhì)量高于醋酸，同時草酸存在兩個羧基結(jié)構(gòu)，可以分別與其他分子形成分子間氫鍵
。
（4）關(guān)于以上幾種鋅鹽說法正確的是
A
A
。
A.化合物Ⅱ中電負(fù)性最大的元素是O
B.化合物Ⅱ中所有C原子的雜化形式均為sp³
C.化合物Ⅲ中只存在離子鍵和極性共價鍵
D.化合物Ⅰ陰離子中σ鍵和π鍵數(shù)目比為2：1
（5）ZnO存在多種晶體結(jié)構(gòu)，其中纖鋅礦型和閃鋅礦型是最常見的晶體結(jié)構(gòu)，下圖為這兩種晶體的局部結(jié)構(gòu)。

①圖a不是纖鋅礦型ZnO的晶胞單元，原因是
晶胞單元是晶體的最小重復(fù)結(jié)構(gòu)單元，該結(jié)構(gòu)中包含了三個更小的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元
晶胞單元是晶體的最小重復(fù)結(jié)構(gòu)單元，該結(jié)構(gòu)中包含了三個更小的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元
。
②圖b閃鋅礦型屬于立方晶胞，原子1的坐標(biāo)為
（
1
2
，
1
2
，
0
）
，則原子2的坐標(biāo)為
（
1
4
，
3
4
，
3
4
）
（
1
4
，
3
4
，
3
4
）
。
③圖b的閃鋅礦型ZnO晶體中離O距離最近的Zn原子數(shù)為
4
4
，其晶胞參數(shù)為anm,阿伏加德羅常數(shù)的值為N_A，則晶體密度為
（
65
+
16
）
×
4
N
A
×
a
3
×
1
0
-
21
（
65
+
16
）
×
4
N
A
×
a
3
×
1
0
-
21
g/cm³（列出計算式）。

【答案】第四周期ⅡB族；平面三角形；NO₃^-或SO₃；HOOC-COOH；草酸的相對分子質(zhì)量高于醋酸，同時草酸存在兩個羧基結(jié)構(gòu)，可以分別與其他分子形成分子間氫鍵；A；晶胞單元是晶體的最小重復(fù)結(jié)構(gòu)單元，該結(jié)構(gòu)中包含了三個更小的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元；（

，

）；4；

（

）

【解答】

【點評】

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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：33引用：3難度：0.7

相似題

1．完成下列問題：
（1）GaAs的熔點為1238℃，可作半導(dǎo)體材料，而GaCl₃的熔點為77.9℃。預(yù)測GaCl₃的晶體類型可能為

。
（2）GaAs晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，則晶胞中每個Ga原子周圍有

個緊鄰等距的As原子；該晶體的密度為ρg/cm³，阿伏加德羅常數(shù)為N_A，則晶體中最近的兩個Ga原子的核間距離為

cm（列出計算式）。

（2）ZnO晶體中部分O原子被N原子替代后可以改善半導(dǎo)體的性能，Zn-N鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)小于Zn-O鍵，原因是

。
（3）CH₃Mn（CO）₅與I₂反應(yīng)可用于制備CH₃I，反應(yīng)前后錳的配位數(shù)不變，CH₃Mn（CO）₅與I₂反應(yīng)的化學(xué)方程式為

。
（4）將含有未成對電子的物質(zhì)置于外磁場中，會使磁場強度增大，稱其為順磁性物質(zhì)。下列物質(zhì)中，屬于順磁性物質(zhì)的是

（填標(biāo)號）。
A．[Cu（NH₃）₂]Cl
B．[Zn（NH₃）₄]SO₄
C．[Cu（NH₃）₄]SO₄
D．Na₂[Zn（OH）₄]
發(fā)布：2024/11/7 1:0:2組卷：21引用：1難度：0.6
解析
2．鍺石是自然界中含有鍺元素的一類礦石的統(tǒng)稱，鍺石含有人體所需的硒、鋅、鎳、鈷、錳等30多種對人體有益的微量元素?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)Ge原子價層電子排布式為

。
（2）鍺與碳同族，性質(zhì)和結(jié)構(gòu)有一定的相似性，鍺元素能形成無機化合物（如鍺酸鈉：Na₂GeO₃；二鍺酸鈉：Na₂Ge₂O₅等），也能形成類似于烷烴的鍺烷（Ge_nH_2n+2）。
①Na₂GeO₃中鍺原子的雜化方式是

。
②Na₂Ge₂O₅中σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為

。
③至今沒有發(fā)現(xiàn)n大于5的鍺烷，根據(jù)下表提供的數(shù)據(jù)分析其中的原因是

。

化學(xué)鍵 C-C C-H Ge-Ge Ge-H

鍵能/kJ?mol^-1 346 411 188 288

（3）利用離子液體[EMIM][AlCl₄]可電沉積還原金屬Ge,其熔點只有7℃，其中EMIM⁺結(jié)構(gòu)如圖所示。分子中的大Π鍵可用符號
Π
n
m
表示，其中m代表參與形成大Π鍵原子數(shù)，n代表參與形成的大Π鍵電子數(shù)，則EMIM⁺離子中的大π鍵應(yīng)表示為

。

（4）硒化鋅（ZnSe）是一種重要的半導(dǎo)體材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示，該晶胞中硒原子的配位數(shù)是

；已知晶胞參數(shù)為apm,乙圖為甲圖的俯視圖，若原子坐標(biāo)A為（0，0，0），B為
（
1
2
，
0
，
1
2
）
，則D原子坐標(biāo)為

；若該晶體密度為ρg?cm^-3，則阿伏加德羅常數(shù)N_A為

（用ρ、a的字母表示，列出表達式即可）。
發(fā)布：2024/11/7 10:0:2組卷：16引用：2難度：0.5
解析
3．《科學(xué)》最近報道，我國科學(xué)家開發(fā)了鈣鈦礦（鈦酸鈣）活性層Cs₂PbI₂Cl₂。回答下列問題：
（1）基態(tài)氯原子核外順時針、逆時針旋轉(zhuǎn)的電子數(shù)之比為

。
（2）熔點：CsCl

CsI（填“＞”“＜”或“=”），判斷依據(jù)是

。
（3）鹵素對物質(zhì)性質(zhì)有明顯影響。
①常溫下，ClCH₂COOH、ICH₂COOH和CH₃COOH電離常數(shù)由大到小的順序為

。
②吡啶（）具有堿性和芳香性。研究發(fā)現(xiàn)，吡啶中N原子的電子云密度越大，堿性越強。N原子的雜化類型是

。在下列物質(zhì)中，堿性最強的是

（填序號，下同），最弱的是

。
a.b.c.d.
（4）鈦酸鈣晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞中的原子可用x、y、z組成的三數(shù)組來表示它在晶胞中的位置，稱為原子坐標(biāo)。已知A的原子坐標(biāo)為（0，0，0），Ca的原子坐標(biāo)為
（
1
2
，
1
2
，
1
2
）
，則B的原子坐標(biāo)為

。

設(shè)該晶體的密度為dg?cm^-3，N_A為阿伏加德羅常數(shù)的值。Ca²⁺和Ti⁴⁺之間的距離為

pm（用含d、N_A的代數(shù)式表示）。
發(fā)布：2024/11/7 10:30:1組卷：51引用：1難度：0.5
解析

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化學(xué)鍵	C-C	C-H	Ge-Ge	Ge-H
鍵能/kJ?mol^-1	346	411	188	288