按照原子核外電子排布規(guī)律:各電子層最多容納的電子數(shù)為2n2(n為電子層數(shù),其中,最外層電子數(shù)不超過(guò)8個(gè),次外層不超過(guò)18個(gè)).1999年已發(fā)現(xiàn)了核電荷數(shù)為118的元素,其原子核外電子層排布是( ?。?/h1>
【考點(diǎn)】原子核外電子排布.
【答案】A
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布:2024/5/27 14:0:0組卷:73引用:7難度:0.9
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1.下列化學(xué)用語(yǔ)或圖示表達(dá)正確的是( ?。?/h2>
A.Cr元素基態(tài)原子的價(jià)電子排布式:3d44s2 B.NaOH的電子式: C.葡萄糖的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式:C6H12O6 D.乙烯分子中的π鍵: 發(fā)布:2024/12/18 23:0:1組卷:66引用:2難度:0.7 -
2.已知四鹵化硅SiX4的沸點(diǎn)和二鹵化鉛PbX2的熔點(diǎn)如圖所示,下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是( ?。?br />
A.標(biāo)準(zhǔn)狀況下,1molSiF4的體積約為22.4L B.SiX4的沸點(diǎn)依F、Cl、Br、I次序升高的原因是結(jié)構(gòu)相似,分子間作用力依次增大 C.圖中所示的SiX4分子中,各原子均滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu) D.結(jié)合PbX2熔點(diǎn)的變化規(guī)律,可推斷依F、Cl、Br、I次序,PbX2中的化學(xué)鍵中離子鍵的百分?jǐn)?shù)增大 發(fā)布:2024/12/20 10:0:1組卷:17引用:1難度:0.6 -
3.下列說(shuō)法正確的是( ?。?/h2>
A.基態(tài)原子的能量一定比激發(fā)態(tài)原子的能量低 B.1s22s12p1表示的是基態(tài)原子的電子排布 C.日常生活中我們看到的許多可見(jiàn)光,如霓虹燈光、節(jié)日焰火,都與原子核外電子發(fā)生躍遷釋放能量有關(guān) D.電子僅在激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)才會(huì)產(chǎn)生原子光譜 發(fā)布:2024/12/19 0:0:2組卷:33引用:3難度:0.6
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