[化學(xué)-選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
A、B、D、E、F都是元素周期表中前四周期的元素，且它們的原子序數(shù)依次增大。第2周期元素A原子的最外層p軌道的電子為半滿結(jié)構(gòu)，B是地殼中含量最多的元素；D原子的P軌道未成對電子數(shù)為1，其余兩個P軌道均充滿；E和F位于D的下一周期，E的價電子層中的未成對電子數(shù)為2，F(xiàn)的原子核外最外層電子數(shù)與氫原子相同，其余各層電子均充滿，且E、F原子序數(shù)相差為1.請用對應(yīng)的元素符號或化學(xué)式回答下列問題：
（1）F元素原子核外電子排布式為：

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s¹或[Ar]3d¹⁰4s¹

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s¹或[Ar]3d¹⁰4s¹

。
（2）元素E與F的第二電離能分別為：I_E=1753kJ×mol^-1、I_F=1959kJ×mol^-1，I_E＜I_F的原因是

銅失去的是全充滿的3d¹⁰電子，鎳失去的是4s¹電子

銅失去的是全充滿的3d¹⁰電子，鎳失去的是4s¹電子

。
（3）B與F形成化合物為F₂B，F(xiàn)與硫元素形成化合物為F₂S，F(xiàn)₂B的熔點比F₂S

高

高

（填“低”、“高”或“無法確定”）。
（4）F可以形成一種離子化合物[F（AH₃）₄（H₂B）₂]SB₄（說明：H為氫元素，S為硫元素），若要確定是晶體還是非晶體，最科學(xué)的方法是對它進行

X-射線衍射

X-射線衍射

實驗；其陰離子的空間構(gòu)型是

正四面體形

正四面體形

；該物質(zhì)加熱時，首先失去的是H₂B分子，原因是

O的電負(fù)性比N強，對孤電子對吸引更強，H₂O與Cu²⁺的配位鍵比NH₃與Cu²⁺的配位鍵弱

O的電負(fù)性比N強，對孤電子對吸引更強，H₂O與Cu²⁺的配位鍵比NH₃與Cu²⁺的配位鍵弱

。
（5）某含F(xiàn)元素的離子R²⁺結(jié)構(gòu)如圖所示：
（A、B、D、F字母分別代表一種元素，C、H為元素符號）
此R²⁺離子中，A元素原子的雜化軌道類型有

sp²、sp³

sp²、sp³

，R²⁺中含有

47

47

個σ鍵。
（6）晶胞有兩個基本要素：
①原子坐標(biāo)參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各離子或原子的相對位置。F的化合物種類很多，下圖為D與F形成化合物的立方晶胞，其中離子坐標(biāo)參數(shù)為a（0，0，0）、b（1，0，1）、c（1，1，2）、d（2，1，1）。

則e點的D離子的坐標(biāo)參數(shù)為

（

3

2

，

1

2

，

3

2

）

（

3

2

，

1

2

，

3

2

）

。
②晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀，已知立方晶胞的邊長為acm,則D與F形成化合物的密度的計算式為ρ=

4

×

99

.

5

a

3

N

A

4

×

99

.

5

a

3

N

A

g/cm³。（用N_A表示阿伏加德羅常數(shù)）