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2020年四川省瀘州市瀘縣五中高考化學模擬試卷(5月份)
>
試題詳情
Al、Cl、Cr、Ni等及其相關(guān)化合物用途非常廣泛?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)鉻原子的價電子排布式為
3d
5
4s
1
3d
5
4s
1
。
(2)與硅原子未成對電子數(shù)相同的第四周期元素共有
4
4
種;鈉與鋁處于同周期,鋁的熔沸點及硬度均比鈉大,其原因是
鋁離子半徑小并且所帶電荷數(shù)多,鋁單質(zhì)的金屬鍵強
鋁離子半徑小并且所帶電荷數(shù)多,鋁單質(zhì)的金屬鍵強
。
(3)KAlO
2
在水溶液中實際上都是以K[AI(OH)
4
]形式存在。其中[Al(OH)
4
]為配離子,中心原子的雜化類型是
sp
3
雜化
sp
3
雜化
。該K[AI(OH)
4
]物質(zhì)中存在的化學鍵有配位鍵、
AB
AB
(填字母代號)。
A.離子鍵 B.極性鍵 C.非極性鍵 D.金屬鍵 E.氫鍵
(4)(CN)
2
稱為氰氣,其性質(zhì)與鹵素單質(zhì)相似。與氫氧化鈉溶液反應(yīng)產(chǎn)物之一為NaCN,寫出兩種與CN
-
互為等電子體的分子
N
2
、CO
N
2
、CO
,N元素及與其同周期相鄰的兩種元素第一電離能由大到小的順序為
N>O>C
N>O>C
。(填元素符號)
(5)氯化銫熔點:645℃,沸點:1290℃;氯化鋁熔點:190℃,在180℃時開始升華,造成二者熔、沸點相差較大的原因是
氯化銫為離子晶體,熔點較高,氯化鋁為分子晶體,熔點較低
氯化銫為離子晶體,熔點較高,氯化鋁為分子晶體,熔點較低
;下圖為氯化銫晶胞,已知氯離子半徑為anm,銫離子半徑為bmm,則氯化銫晶體密度為
=
505
.
5
3
×
10
21
8
N
A
(
a
+
b
)
3
g
=
505
.
5
3
×
10
21
8
N
A
(
a
+
b
)
3
g
g?cm
-3
(用a、b和阿伏加德羅常數(shù)N
A
的代數(shù)式表示,列出算式即可)
【考點】
晶胞的計算
;
元素電離能、電負性的含義及應(yīng)用
;
原子軌道雜化方式及雜化類型判斷
;
化學鍵
;
原子核外電子排布
.
【答案】
3d
5
4s
1
;4;鋁離子半徑小并且所帶電荷數(shù)多,鋁單質(zhì)的金屬鍵強;sp
3
雜化;AB;N
2
、CO;N>O>C;氯化銫為離子晶體,熔點較高,氯化鋁為分子晶體,熔點較低;=
505
.
5
3
×
10
21
8
N
A
(
a
+
b
)
3
g
【解答】
【點評】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復制發(fā)布。
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發(fā)布:2024/4/20 14:35:0
組卷:42
引用:2
難度:0.5
相似題
1.
完成下列問題:
(1)GaAs的熔點為1238℃,可作半導體材料,而GaCl
3
的熔點為77.9℃。預測GaCl
3
的晶體類型可能為
。
(2)GaAs晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則晶胞中每個Ga原子周圍有
個緊鄰等距的As原子;該晶體的密度為ρg/cm
3
,阿伏加德羅常數(shù)為N
A
,則晶體中最近的兩個Ga原子的核間距離為
cm(列出計算式)。
(2)ZnO晶體中部分O原子被N原子替代后可以改善半導體的性能,Zn-N鍵中離子鍵成分的百分數(shù)小于Zn-O鍵,原因是
。
(3)CH
3
Mn(CO)
5
與I
2
反應(yīng)可用于制備CH
3
I,反應(yīng)前后錳的配位數(shù)不變,CH
3
Mn(CO)
5
與I
2
反應(yīng)的化學方程式為
。
(4)將含有未成對電子的物質(zhì)置于外磁場中,會使磁場強度增大,稱其為順磁性物質(zhì)。下列物質(zhì)中,屬于順磁性物質(zhì)的是
(填標號)。
A.[Cu(NH
3
)
2
]Cl
B.[Zn(NH
3
)
4
]SO
4
C.[Cu(NH
3
)
4
]SO
4
D.Na
2
[Zn(OH)
4
]
發(fā)布:2024/11/7 1:0:2
組卷:21
引用:1
難度:0.6
解析
2.
硅烷廣泛應(yīng)用在現(xiàn)代高科技領(lǐng)域。制備硅烷的反應(yīng)為SiF
4
+NaAlH
4
═SiH
4
+NaAlF
4
。
(1)①基態(tài)硅原子的價層電子軌道表示式為
。
②SiF
4
中,硅的化合價為+4價。硅顯正化合價的原因是
。
③下列說法正確的是
(填序號)。
a.SiF
4
的熱穩(wěn)定性比CH
4
的差
b.SiH
4
中4個Si-H的鍵長相同,H-Si-H的鍵角為90°
c.SiH
4
中硅原子以4個sp
3
雜化軌道分別與4個氫原子的1s軌道重疊,形成4個Si-Hσ鍵
④SiF
4
的沸點(-86℃)高于SiH
4
的沸點(-112℃),原因是
。
(2)NaAlH
4
的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞的體積為a
2
b×10
-21
cm
3
。
①
A
l
H
-
4
的VSEPR模型名稱為
。
②用N
A
表示阿伏加德羅常數(shù)的值。NaAlH
4
晶體密度為
g?cm
-3
(用含a、b、N
A
的代數(shù)式表示)。
③NaAlH
4
是一種具有應(yīng)用潛能的儲氫材料,其釋氫過程可用化學方程式表示為:3NaAlH
4
═Na
3
AlH
6
+2Al+3H
2
↑。摻雜
22
Ti替換晶體中部分Al,更利于NaAlH
4
中H的解離,使體系更容易釋放氫。從結(jié)構(gòu)的角度推測其可能原因:
。
發(fā)布:2024/11/6 14:0:2
組卷:52
引用:1
難度:0.7
解析
3.
X、Y、Z、W、Q是周期表中前4周期元素,且原子序數(shù)依次增大。X、Z的基態(tài)原子2p軌道中均有2個未成對電子,W的最外層電子數(shù)是次外層的一半,Q最外層有1個電子,內(nèi)層電子全部充滿。Q
2+
能與NH
3
形成[Q(NH
3
)
4
]
2+
,[Q(NH
3
)
4
]
2+
中2個NH
3
被2個Cl
-
取代可得兩種不同的結(jié)構(gòu)。Q
2
Z種晶胞如下圖所示。下列說法正確的是( )
A.X的一種晶體具有很大的硬度,1mol該晶體中含有4molX-X鍵
B.Y
2
、Z
2
的晶體類型均為共價晶體
C.[Q(NH
3
)
4
]
2+
的空間構(gòu)型為正四面體形
D.Q
2
Z晶胞中,距離每個Q
+
最近的Z
2-
有2個
發(fā)布:2024/11/6 20:0:1
組卷:15
引用:2
難度:0.7
解析
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