當(dāng)前位置： 2023-2024學(xué)年四川省綿陽市梓潼中學(xué)高三（上）入學(xué)化學(xué)試卷> 試題詳情

中國近代化學(xué)啟蒙者徐壽首次把“Nitrogen”譯成中文時(shí)曾寫成“淡氣”，意指它“沖淡”了空氣中的氧氣。含氮化合物種類繁多，用途廣泛，根據(jù)信息回答下列問題。
（1）GaN是第三代半導(dǎo)體材料，基態(tài)Ga的電子排布式為
1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹或[Ar]3d¹⁰4s²4p¹
1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹或[Ar]3d¹⁰4s²4p¹
，GaN晶體為共價(jià)鍵空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，熔點(diǎn)1700℃，晶體類型為
共價(jià)晶體
共價(jià)晶體
。

（2）硫酸四氨合鉑[Pt（NH₃）₄]SO₄在工業(yè)上用于鍍鉑，Pt的配位數(shù)為
4
4
，其陰離子的空間構(gòu)型為
正四面體
正四面體
。
（3）氨縮脲與膽礬溶液反應(yīng)得到如圖所示的紫色離子，離子中C的雜化類型是
sp²
sp²
。O的第二電離能比N第二電離能更大，解釋其原因是
O失去1個(gè)電子后p能級(jí)變?yōu)榘氤錆M的穩(wěn)定狀態(tài)，比N失去1個(gè)電子后的結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定，因此O的第二電離能比N第二電離能更大
O失去1個(gè)電子后p能級(jí)變?yōu)榘氤錆M的穩(wěn)定狀態(tài)，比N失去1個(gè)電子后的結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定，因此O的第二電離能比N第二電離能更大
。
（4）常溫下，三甲胺[N（CH₃）₃]氣體常用作天然氣的警報(bào)劑。N（CH₃）₃與其同分異構(gòu)體CH₃CH₂CH₂NH₂相比較，熔點(diǎn)較高的是
[N（CH₃）₃]與其同分異構(gòu)體CH₃CH₂CH₂NH₂都屬于分子晶體，[N（CH₃）₃]的分子之間只存在分子間作用力，而CH₃CH₂CH₂NH₂分子間存在氫鍵，增加了分子之間的吸引力，導(dǎo)致物質(zhì)的熔沸點(diǎn)升高
[N（CH₃）₃]與其同分異構(gòu)體CH₃CH₂CH₂NH₂都屬于分子晶體，[N（CH₃）₃]的分子之間只存在分子間作用力，而CH₃CH₂CH₂NH₂分子間存在氫鍵，增加了分子之間的吸引力，導(dǎo)致物質(zhì)的熔沸點(diǎn)升高
。N（CH₃）₃易與H⁺形成三甲胺正離子，反應(yīng)中形成的化學(xué)鍵屬于
BD
BD
。
A．氫鍵
B．極性鍵
C．π鍵
D．配位鍵
（5）某鐵氮化合物晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。

①若以氮原子為晶胞頂點(diǎn)，則鐵原子在晶胞中的位置為
棱心和體心
棱心和體心
。
②若晶胞中距離最近的兩個(gè)鐵原子距離為apm,阿伏加德羅常數(shù)的值為N_A，則該晶體的密度為
238
N
A
（
2
a
×
1
0
-
10
）
3
238
N
A
（
2
a
×
1
0
-
10
）
3
g?cm^-3（列出計(jì)算式即可）。

【答案】1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹或[Ar]3d¹⁰4s²4p¹；共價(jià)晶體；4；正四面體；sp²；O失去1個(gè)電子后p能級(jí)變?yōu)榘氤錆M的穩(wěn)定狀態(tài)，比N失去1個(gè)電子后的結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定，因此O的第二電離能比N第二電離能更大；[N（CH₃）₃]與其同分異構(gòu)體CH₃CH₂CH₂NH₂都屬于分子晶體，[N（CH₃）₃]的分子之間只存在分子間作用力，而CH₃CH₂CH₂NH₂分子間存在氫鍵，增加了分子之間的吸引力，導(dǎo)致物質(zhì)的熔沸點(diǎn)升高；BD；棱心和體心；

238

（

）

【解答】

【點(diǎn)評(píng)】

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發(fā)布：2024/8/29 0:0:8組卷：16引用：2難度：0.6

相似題

1．化學(xué)作為一門基礎(chǔ)自然科學(xué)，在材料科學(xué)、生命科學(xué)、能源科學(xué)等諸多領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。
（1）高溫超導(dǎo)材料釔鋇銅氧的化學(xué)式為YBaCu₃O₇，其中
1
3
的Cu以罕見的Cu³⁺形式存在。Cu在元素周期表中的位置為

，基態(tài)Cu³⁺的核外電子排布式為

。
（2）磁性材料在生活和科學(xué)技術(shù)中應(yīng)用廣泛。研究表明，若構(gòu)成化合物的陽離子有未成對(duì)電子時(shí)，則該化合物具有磁性。下列物質(zhì)適合作錄音磁帶磁粉原料的為

（填選項(xiàng)字母）。
A．V₂O₅ B．CrO₂ C．PbO D．ZnO
（3）屠呦呦因在抗瘧藥--青蒿素研究中的杰出貢獻(xiàn)，成為首獲科學(xué)類諾貝爾獎(jiǎng)的中國人。青蒿素的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式如圖1所示，碳原子的雜化方式為

。
（4）“可燃冰”因儲(chǔ)量大、污染小被視為未來石油的替代能源，由甲烷和水形成的“可燃冰”結(jié)構(gòu)如圖2所示。
①“可燃冰”中分子間存在的作用力為

。
②H₂O的VSEPR模型為

，比較鍵角的大?。篐₂O

CH₄（填“＞”“＜”或“=”），原因?yàn)?!--BA-->

。
（5）鋰離子電池在便攜式電子設(shè)備以及電動(dòng)汽車、衛(wèi)星等領(lǐng)域顯示出廣闊的應(yīng)用前景。該電池負(fù)極材料為石墨，石墨為層狀結(jié)構(gòu)（如圖3），其晶胞結(jié)構(gòu)如圖4所示。已知石墨的層間距為apm,C-C鍵長為b pm,阿伏加德羅常數(shù)的值為N_A，則石墨晶體的密度為

g?cm^-3（列出計(jì)算式）。
發(fā)布：2024/11/5 8:0:2組卷：5引用：1難度：0.4
解析

2．元素周期表中第57號(hào)元素鑭到71號(hào)元素镥這15種元素統(tǒng)稱為鑭系元素?；卮鹣铝袉栴}：
（1）鈥（Ho）可用來制作磁性材料，其基態(tài)原子電子排布式為[Xe]4f¹¹6s²，鈥（Ho）有

個(gè)未成對(duì)電子。
（2）釔鋇銅氧（YBa₂Cu₃O_7-x）是一種高溫超導(dǎo)材料（其中Y顯+3價(jià)，Cu顯+2、+3價(jià)），該材料所含元素中，電負(fù)性最大的元素是

（填元素符號(hào)），若YBa₂Cu₃O_7-x材料在T℃下有超導(dǎo)性，當(dāng)x=0.2時(shí)，n（Cu³⁺）：n（Cu²⁺）=

。
（3）下表是幾種鑭系元素的電離能（單位：kJ?mol^-1）

第一電離能第二電離能第三電離能第四電離能

Ce 527 1047 1949 3547

La 538 1067 1850 4819

Lu 532 1340 2022 4370

Yb 604 1174 2417 4203

據(jù)此，判斷形成+3價(jià)化合物最穩(wěn)定的元素是

（填元素符號(hào)）。
（4）Sm（釤）的單質(zhì)與l,2-二碘乙烷可發(fā)生如下反應(yīng)：Sm+ICH₂CH₂I→SmI₂+CH₂=CH₂．ICH₂CH₂I中碳原子雜化軌道類型為

，1 mol CH₂=CH₂中含有的σ鍵數(shù)目為

；常溫下l,2-二碘乙烷為液體而乙烷為氣體，其主要原因是

。
（5）從磷釔礦中可提取稀土元素釔（Y），某磷釔礦的結(jié)構(gòu)如圖。

該磷釔礦的化學(xué)式為

，與PO₄^3-互為等電子體的陰離子有

（寫出兩種離子的化學(xué)式）。已知晶胞參數(shù)a=0.69 nm,c=0.60 nm,阿伏加德羅常數(shù)為N_A，則晶胞的密度為

g?cm^-3（列出計(jì)算式）。

發(fā)布：2024/11/5 8:0:2組卷：12引用：1難度：0.7

解析

3．銅及其化合物在機(jī)械制造、國防建設(shè)中有著廣泛的應(yīng)用。回答下列問題：
（1）銅元素在元素周期表中的位置是

。
（2）Cu²⁺能與NH₃形成具有對(duì)稱空間結(jié)構(gòu)的【Cu（NH₃）₄】²⁺。
①[Cu（NH₃）₄]²⁺的H-N-H鍵角

（填“＞”、“=”或“＜”）NH₃的H-N-H鍵角。
②若[Cu（NH₃）₄]²⁺中兩個(gè)NH₃分別被Cl^-取代，能得到（m）、（n）兩種不同結(jié)構(gòu)的Cu（NH₃）₂Cl₂：

[Cu（NH₃）₄]²⁺的空間構(gòu)型是

；在水中的溶解度：（m）

（n）（填“＞”、“=”或“＜”）。
③NF₃與NH₃具有相同的空間構(gòu)型，但NF₃不易與Cu²⁺形成配離子，理由是

。
（3）一種釔鋇銅氧晶體屬四方晶系，晶胞參數(shù)如圖所示，晶胞棱長夾角均為90°。晶體中Y元素的化合價(jià)為+3價(jià)，Cu元素以+2和+3兩種價(jià)態(tài)存在?；鶓B(tài)Cu³⁺的價(jià)層電子的軌道表示式為

；設(shè)N_A為阿伏加德羅常數(shù)的值，釔鋇銅氧的摩爾質(zhì)量為Mg?mol^-1，則該晶體的密度為

g?cm^-3（列出計(jì)算式）；晶體中Cu³⁺與Cu²⁺個(gè)數(shù)比為

。以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱為原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。如原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)A為（0，0，0），B為（
1
2
，
1
2
，
1
2
），C為（
1
2
，
1
2
，m），則D的原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為

。

發(fā)布：2024/11/5 8:0:2組卷：69引用：1難度：0.6
解析

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	第一電離能	第二電離能	第三電離能	第四電離能
Ce	527	1047	1949	3547
La	538	1067	1850	4819
Lu	532	1340	2022	4370
Yb	604	1174	2417	4203