Fe與Si形成的合金及鐵的配合物用途非常廣泛,回答下列問(wèn)題:
(1)基態(tài)Fe2+核外價(jià)電子排布式為 3d63d6;在基態(tài)Si原子中,核外存在 66對(duì)自旋方向相反的電子。
(2)Fe78Si9B13是一種非晶合金,可通過(guò) X-射線衍射X-射線衍射方法區(qū)分晶體和非晶體
(3)硅烯是一種具有石墨烯結(jié)構(gòu)的新型二維材料,二硅烯Si2H4分子的幾何構(gòu)型為 平面形平面形,依據(jù)電子云的重疊方式可知其所含共價(jià)鍵類型是 σ鍵與π鍵σ鍵與π鍵。
(4)配合物[Fe(Htrz)3](ClO4)2(Htrz為,1,2,4-三氮唑)
①與Fe2+形成配位鍵的原子是 NN;已知分子中的大π鍵可用Πnm符號(hào)表示,其中m代表參與形成大π鍵的原子數(shù),n代表參與形成大π鍵的電子數(shù),則配體中的大π鍵應(yīng)表示為 Π56Π56。
②1,2,4-三氮唑的沸點(diǎn)為260℃,環(huán)戊二烯()的沸點(diǎn)為42.50C,前者的沸點(diǎn)比后者大得多,其原因是 1,2,4-三氮唑分子間存在氫鍵1,2,4-三氮唑分子間存在氫鍵。
(5)砷化鎳晶胞的結(jié)構(gòu)如圖所示,1個(gè)砷化鎳晶胞中含 66個(gè)As;若六棱柱底邊邊長(zhǎng)為acm,高為ccm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則砷化鎳的密度為 6×(59+75)NA×6×34×a2c6×(59+75)NA×6×34×a2cg/cm3
6
×
(
59
+
75
)
N
A
×
6
×
3
4
×
a
2
c
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A
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4
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a
2
c
【答案】3d6;6;X-射線衍射;平面形;σ鍵與π鍵;N;Π56;1,2,4-三氮唑分子間存在氫鍵;6;
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+
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A
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【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布:2024/4/20 14:35:0組卷:13引用:1難度:0.5
相似題
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1.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
(1)基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為
(2)(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
③SO42-中S原子的雜化方式為
(3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
(4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7 -
2.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數(shù)依次增大,其相關(guān)信息如下:
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù);
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對(duì)電子;
③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1;
④F原子有四個(gè)能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個(gè)電子.
試回答下列問(wèn)題:
(1)基態(tài)E原子中,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為
(2)B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
(3)B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性:BA4小于A2D,原因是
(4)以E、F的單質(zhì)為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應(yīng)式為
(5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,藍(lán)色沉淀溶解,得到深藍(lán)色溶液,再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇,析出深藍(lán)色晶體.藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為
(6)F的晶胞結(jié)構(gòu)(面心立方)如圖2所示:已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為發(fā)布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5 -
3.碳及其化合物有著重要用途。回答下列問(wèn)題:
(1)基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為
(2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
(3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
(4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
(5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知:C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成),則平均每一個(gè)C60晶胞中有發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
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