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完成下列問題
（1）四鹵化硅（SiX₄）的沸點和二鹵化鉛（PbX₂）的熔點如圖1所示：

①SiX₄的沸點依F、Cl、Br、I次序升高的原因是
SiX₄屬于分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強，沸點越高
SiX₄屬于分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強，沸點越高
。
②結(jié)合SiX₄的沸點和PbX₂的熔點變化規(guī)律，可推斷：依F、Cl、Br、I次序，PbX₂晶體中離子鍵百分數(shù)
減小
減小
（填“增大”、“不變”或“減小”）。
（2）鈹及其化合物的應用正日益被重視。
①鈹與相鄰主族的鋁元素性質(zhì)相似。下列有關(guān)和鋁的敘述正確的有
BD
BD
。
A．都屬于p區(qū)主族元素
B．電負性都比鎂大
C．第一電離能都比鎂大
D．氯化物的水溶液pH均小于7
②氯化鈹在氣態(tài)時存在BeCl₂單分子--a和二聚分子（BeCl₂）₂--b,固態(tài)時則具有如圖2所示的鏈狀結(jié)構(gòu)--c。

a屬于
非極性
非極性
（填“極性”或“非極性”）分子，二聚分子（BeCl₂）₂中Be原子的雜化方式相同，且所有原子都在同一平面上，b的結(jié)構(gòu)式為
。
③BeO立方晶胞如圖3所示。阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值為N_A，若BeO晶體的密度為dg/cm³，則Be²⁺和O^2-之間最近的距離為
3
4
×
3
25
×
4
d
N
A
×10⁷
3
4
×
3
25
×
4
d
N
A
×10⁷
nm。

【考點】晶胞的計算．

【答案】SiX₄屬于分子晶體，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強，沸點越高；減??；BD；非極性；菁優(yōu)網(wǎng)

；

×10⁷

【解答】

【點評】

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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：29引用：1難度：0.3

相似題

1．氧元素是組成地殼和大氣的主要元素之一，氧化物、含氧酸等均有重要的用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）高溫超導材料鑭鋇銅氧化物中含有Cu³⁺．基態(tài)時Cu³⁺的電子排布式為[Ar]

；化合物中，稀土元素最常見的化合價是+3，但也有少數(shù)的稀土元素可以顯示+4價，觀察下面四種稀土元素的電離能數(shù)據(jù)，判斷最有可能顯示+4價的稀土元素是

。
幾種稀土元素的電離能（單位：kJ?mol^-1）

元素 I₁ I₂ I₃ I₄

Sc（鈧） 633 1235 2389 7019

Y（釔） 616 1181 1980 5963

La（鑭） 538 1067 1850 4819

Ce（鈰） 527 1047 1949 3547

（2）地球上的生命離不開H₂O，H⁺與H₂O以

（填作用力的名稱）相結(jié)合形成H₃O⁺，鍵角：
H₃O⁺

H₂O（填“＞”“＜”或“一”），原因是

（3）硫酸（）中學常見的一種強酸，硫酸分子中的一個羥基被氟原子代替可形成氟硫酸（HSO₃F）。
①酸性強弱：硫酸

氟硫酸（填“＞”“＜”或“一”）。
②在氟硫酸中硫原子的雜化方式為

。
③觀察硫酸的結(jié)構(gòu)，硫酸能與水以任意比例混溶的主要原因是

。
（4）鈣的某種氧化物屬于離子晶體，可用作防腐劑，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示（假定為正方體）。
①該晶體中陰陽離子的個數(shù)比為

。
②若該晶體的密度為ρ g.cm^-3，則距離最近的兩個鈣離子間的距離為

cm（列計算式即可）。

發(fā)布：2024/11/18 8:0:1組卷：3引用：1難度：0.4

解析

2．碘及其化合物在生產(chǎn)、生活中有著廣泛的應用?；卮鹣铝袉栴}：
電負性：H 2.20；C 2.55；F 3.98；P 2.19；I 2.66
（1）人工合成的¹³¹I是醫(yī)療上常用的放射性同位素，碘在周期表中的位置是

。
（2）碘單質(zhì)在CS₂中的溶解度比在水中的大，解釋原因

。
（3）HI主要用于藥物合成，通常用I₂和P反應生成PI₃，PI₃再水解制備HI。PI₃的空間結(jié)構(gòu)是

，PI₃水解生成HI的化學方程式是

。
（4）CH₃I是一種甲基化試劑，CF₃I可用作制冷劑，CH₃I和CF₃I發(fā)生水解時的主要反應分別是：CH₃I+H₂O→CH₃OH+HI和CF₃I+H₂O→CF₃H+HIO。CF₃I的水解產(chǎn)物是HIO，結(jié)合電負性解釋原因

。
（5）KIO₃晶體是一種性能良好的光學材料，其晶胞為立方體，邊長為anm,晶胞中K、I、O分別處于頂點、體心、面心位置，結(jié)構(gòu)如圖。
①與K原子緊鄰的O原子有

個。
②KIO₃的摩爾質(zhì)量為214g/mol,阿伏加德羅常數(shù)為N_A。該晶體的密度是

g/cm³（1nm=10^-9m）。
發(fā)布：2024/11/17 0:30:1組卷：93引用：4難度：0.6
解析
3．氮族元素的單質(zhì)及其化合物在生活、生產(chǎn)中有廣泛應用?；卮鹣铝袉栴}：
（1）下列電子排布圖能表示基態(tài)N原子的核外電子排布情況的是

。（填標號）
A．
B．
C．
D．
（2）鍵角：NH₃＞PH₃＞AsH₃，從原子結(jié)構(gòu)角度分析原因：

。AsH₃中As原子的雜化類型是

，AsH₃的空間構(gòu)型是

。

（3）白磷中毒后，用硫酸銅溶液解毒，其反應原理為11P₄+60CuSO₄+96H₂O═20Cu₃P+24H₃PO₄+60H₂SO₄。
①白磷的結(jié)構(gòu)如圖1所示，上述反應轉(zhuǎn)移20mol電子時，破壞P₄中

mol σ鍵。與CuSO₄中陰離子互為等電子體的分子有

。（填一種即可）
②Cu₃P中銅粒子的價層電子排布式為

。
③在CuSO₄溶液中滴加過量氨水生成藍色溶液，主要成分是[Cu（NH₃）₄]SO₄，其中不存在的作用力類型有

。（填標號）
A．離子鍵
B．金屬鍵
C．配位鍵
D．極性共價鍵
（4）聯(lián)氨（N₂H₄）的沸點為113.5℃，聯(lián)磷（P₂H₄）的沸點為55℃，主要原因是

。
（5）磷化硼是一種半導體材料，早在1891年，法國化學家亨利?莫瓦桑就合成了磷化硼晶體，其晶胞如圖2所示。磷化硼的化學式為

。磷化硼的熔點為1100℃，它的晶體類型是

。
（6）砷化鎵是一種重要的半導體材料，用來制作微波器件等。砷化鎵的晶胞如圖3所示。已知砷化鎵的摩爾質(zhì)
量為Mg?mol^-1，密度為dg?cm^-3，N_A代表阿伏加德羅常數(shù)的值。圖3中As原子與Ga原子的最短核間距為

pm。
發(fā)布：2024/11/17 8:0:1組卷：49引用：1難度：0.5
解析

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元素	I₁	I₂	I₃	I₄
Sc（鈧）	633	1235	2389	7019
Y（釔）	616	1181	1980	5963
La（鑭）	538	1067	1850	4819
Ce（鈰）	527	1047	1949	3547