氮化鎵是全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，可由氨氣流中高溫加熱金屬鎵和碳酸銨的混合物制備。
回答下列問題：
（1）基態(tài)Ga原子的價(jià)電子排布式為

4s²4p¹

4s²4p¹

；基態(tài)N原子的2s電子云半徑大于1s電子云半徑的原因?yàn)?

2s電子能量高于1s電子，克服原子核的吸引在離核更遠(yuǎn)的區(qū)域出現(xiàn)的概率更大，電子云更擴(kuò)散，半徑更大

2s電子能量高于1s電子，克服原子核的吸引在離核更遠(yuǎn)的區(qū)域出現(xiàn)的概率更大，電子云更擴(kuò)散，半徑更大

。
（2）C、N、O、Ga的第一電離能由大到小的順序?yàn)?

N＞O＞C＞Ga

N＞O＞C＞Ga

；CO的沸點(diǎn)高于相同條件下N₂沸點(diǎn)的原因?yàn)?

CO為極性分子，N₂為非極性分子，CO的分子間作用力更大，所以CO的沸點(diǎn)高于相同條件下N₂的沸點(diǎn)

CO為極性分子，N₂為非極性分子，CO的分子間作用力更大，所以CO的沸點(diǎn)高于相同條件下N₂的沸點(diǎn)

。
（3）NH₃的鍵角小于NH₄⁺的原因?yàn)?

NH₃中N原子有一對(duì)孤電子對(duì)，NH₄⁺中沒有孤電子對(duì)，孤電子對(duì)對(duì)成鍵電子對(duì)的排斥作用大于成鍵電子對(duì)對(duì)成鍵電子對(duì)的排斥力，使鍵角更小

NH₃中N原子有一對(duì)孤電子對(duì)，NH₄⁺中沒有孤電子對(duì)，孤電子對(duì)對(duì)成鍵電子對(duì)的排斥作用大于成鍵電子對(duì)對(duì)成鍵電子對(duì)的排斥力，使鍵角更小

，1molNH₄⁺中配位鍵的數(shù)目為

N_A

N_A

。
（4）CO₃^2-的立體構(gòu)型為

平面三角形

平面三角形

；其中碳原子的雜化方式為

sp²

sp²

。
（5）氮化鎵晶體有閃鋅礦型和纖鋅礦型兩種結(jié)構(gòu)，晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。

①閃鋅礦型立方氮化鎵晶體中，由氮原子構(gòu)成的正八面體空隙和正四面體空隙之比為

1：2

1：2

。
②若阿伏加德羅常數(shù)的值為N_A，則纖鋅礦型六方氮化鎵晶體的密度ρ=

3

.

36

×

1

0

23

3

N

A

a

2

c

3

.

36

×

1

0

23

3

N

A

a

2

c

g?cm^-3（用含a、c、N_A的代數(shù)式表示）。