當(dāng)前位置： 2019-2020學(xué)年新疆哈密八中高二（下）期末化學(xué)試卷> 試題詳情

近年來(lái)我國(guó)科學(xué)家發(fā)現(xiàn)了一系列意義重大的鐵系超導(dǎo)材料，其中一類為Fe-Sm-As-F-O組成的化合物。回答下列問(wèn)題：
（1）元素As與N同族。預(yù)測(cè)As的氫化物分子的立體結(jié)構(gòu)為
三角錐形
三角錐形
，其沸點(diǎn)比NH₃的
低
低
（填“高”或“低”），其判斷理由是
NH₃分子間存在氫鍵
NH₃分子間存在氫鍵
。
（2）Fe成為陽(yáng)離子時(shí)首先失去
4s
4s
軌道電子，Sm的價(jià)層電子排布式為4f⁶6s²，Sm³⁺的價(jià)層電子排布式為
4f⁵
4f⁵
。
（3）比較離子半徑：F^-
小于
小于
O^2-（填“大于”“等于”或“小于”）。
（4）一種四方結(jié)構(gòu)的超導(dǎo)化合物的晶胞如圖1所示，晶胞中Sm和As原子的投影位置如圖2所示。

圖中F^-和O^2-共同占據(jù)晶胞的上下底面位置，若兩者的比例依次用x和1?x代表，則該化合物的化學(xué)式表示為
SmFeAsO_1?xF_x
SmFeAsO_1?xF_x
。

【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算；原子核外電子排布．

【答案】三角錐形；低；NH₃分子間存在氫鍵；4s；4f⁵；小于；SmFeAsO_1?xF_x

【解答】

【點(diǎn)評(píng)】

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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：8引用：2難度：0.5

相似題

1．堿金屬（Li、Na、K、Rb、Cs）及其化合物在生產(chǎn)、生活中有著重要的應(yīng)用。請(qǐng)回答：
（1）基態(tài)K原子核外有

種不同的電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。
（2）鹵化物CsICl₂受熱發(fā)生非氧化還原反應(yīng)，生成無(wú)色晶體X和紅棕色液體Y。解釋X的熔點(diǎn)比Y高的原因：

。
（3）已知RbH₂PO₂是次磷酸的正鹽，H₃PO₂的結(jié)構(gòu)式為

，其中P采取

雜化方式。
（4）Al、B、H電負(fù)性分別為1.5、2.0、2.1，簡(jiǎn)要說(shuō)明LiAlH₄還原性比NaBH₄強(qiáng)的原因：

。
（5）鋰離子電池電極材料是LiFePO₄，其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如①所示。其中O圍繞Fe和P分別形成4個(gè)正八面體和4個(gè)正四面體。電池充電時(shí)，LiFePO₄脫出部分Li⁺形成Li_（1-x）FePO₄，其結(jié)構(gòu)示意圖如②所示，則Li_（1-x）FePO₄晶胞中n（Fe²⁺）：n（Fe³⁺）=

。
發(fā)布：2024/11/6 12:0:1組卷：33引用：1難度：0.5
解析
2．據(jù)《科技日?qǐng)?bào)》報(bào)道，我國(guó)科學(xué)家研制成功一系列石墨烯限域的3d過(guò)渡金屬中心（Mn、Fe、Co、Ni、Cu）催化劑，在室溫條件下以H₂O₂為氧化劑直接將CH₄氧化成C的含氧化合物。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）在Mn、Fe、Co、Ni、Cu中，某基態(tài)原子核外電子排布遵循“洪特規(guī)則特例”（指能量相同的原子軌道在全滿、半滿、全空狀態(tài)時(shí)，體系的能量最低），該原子的外圍電子排布式為

（2）在3d過(guò)渡金屬中，基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)最多的元素是

（填元素符號(hào)）
（3）銅的焰色反應(yīng)呈綠色，在現(xiàn)代化學(xué)中，常利用原子光譜上的特征譜線來(lái)鑒定元素，稱為

（4）石墨烯限域單原子鐵能活化CH₄分子中的C-H鍵，導(dǎo)致C與H之間的作用力

（“減弱”或“不變”）。鐵晶體中粒子之間作用力類型是

（5）常溫下，H₂O₂氧化CH₄生成CH₃OH、HCHO、HCOOH等。
①它們的沸點(diǎn)分別為64.7℃、-19.5℃、100.8℃，其主要原因是

；
②CH₄和HCHO比較，鍵角較大的是

，主要原因是

（6）鈷晶胞和白銅（銅鎳合金）晶胞分別如圖1、2所示。
①鈷晶胞堆積方式的名稱為

；
②已知白銅晶胞的密度為dg?cm^-3，N_A代表阿伏加德羅常數(shù)的值。圖2晶胞中兩個(gè)面心上銅原子最短核間距為

pm（列出計(jì)算式）。
發(fā)布：2024/11/6 8:0:1組卷：9引用：1難度：0.7
解析
3．硅烷廣泛應(yīng)用在現(xiàn)代高科技領(lǐng)域。制備硅烷的反應(yīng)為SiF₄+NaAlH₄═SiH₄+NaAlF₄。
（1）①基態(tài)硅原子的價(jià)層電子軌道表示式為

。
②SiF₄中，硅的化合價(jià)為+4價(jià)。硅顯正化合價(jià)的原因是

。
③下列說(shuō)法正確的是

（填序號(hào)）。
a.SiF₄的熱穩(wěn)定性比CH₄的差
b.SiH₄中4個(gè)Si-H的鍵長(zhǎng)相同，H-Si-H的鍵角為90°
c.SiH₄中硅原子以4個(gè)sp³雜化軌道分別與4個(gè)氫原子的1s軌道重疊，形成4個(gè)Si-Hσ鍵
④SiF₄的沸點(diǎn)（-86℃）高于SiH₄的沸點(diǎn)（-112℃），原因是

。
（2）NaAlH₄的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞的體積為a²b×10^-21cm³。

①
A
l
H
-
4
的VSEPR模型名稱為

。
②用N_A表示阿伏加德羅常數(shù)的值。NaAlH₄晶體密度為

g?cm^-3（用含a、b、N_A的代數(shù)式表示）。
③NaAlH₄是一種具有應(yīng)用潛能的儲(chǔ)氫材料，其釋氫過(guò)程可用化學(xué)方程式表示為：3NaAlH₄═Na₃AlH₆+2Al+3H₂↑。摻雜₂₂Ti替換晶體中部分Al,更利于NaAlH₄中H的解離，使體系更容易釋放氫。從結(jié)構(gòu)的角度推測(cè)其可能原因：

。
發(fā)布：2024/11/6 14:0:2組卷：52引用：1難度：0.7
解析

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