用微電極記錄細(xì)胞膜上的電位變化是研究神經(jīng)沖動(dòng)產(chǎn)生、傳導(dǎo)和突觸傳遞原理的常用方法。根據(jù)以下實(shí)驗(yàn)方法和結(jié)果，分析和解決相關(guān)問(wèn)題。

（1）當(dāng)圖1中的微電極M記錄到動(dòng)作電位時(shí)，興奮到達(dá)突觸前膜所在軸突末梢，引起突觸小泡向

突觸前膜

突觸前膜

移動(dòng)并與突觸前膜融合釋放

神經(jīng)遞質(zhì)

神經(jīng)遞質(zhì)

；若突觸小泡釋放的是興奮型遞質(zhì)，突觸后膜上將依次產(chǎn)生的電位變化是

由外正內(nèi)負(fù)變?yōu)橥庳?fù)內(nèi)正

由外正內(nèi)負(fù)變?yōu)橥庳?fù)內(nèi)正

；興奮在突觸處單向傳導(dǎo)的原因是

神經(jīng)遞質(zhì)只存在于突觸前膜內(nèi)的突觸小泡中，只能由突觸前膜釋放經(jīng)突觸間隙作用于突觸后膜

神經(jīng)遞質(zhì)只存在于突觸前膜內(nèi)的突觸小泡中，只能由突觸前膜釋放經(jīng)突觸間隙作用于突觸后膜

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（2）研究表明，在突觸小體未產(chǎn)生動(dòng)作電位的情況下，微電極N上也會(huì)記錄到隨機(jī)產(chǎn)生的、幅度幾乎相等的微小電位變化，如圖2所示。結(jié)合突觸的結(jié)構(gòu)和突觸傳遞的過(guò)程，分析導(dǎo)致該電位變化產(chǎn)生的原因：

突觸小泡破裂釋放少量神經(jīng)遞質(zhì)進(jìn)入突觸間隙，引起突觸后膜產(chǎn)生微小的電位變化

突觸小泡破裂釋放少量神經(jīng)遞質(zhì)進(jìn)入突觸間隙，引起突觸后膜產(chǎn)生微小的電位變化

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（3）在某些突觸中，突觸小體產(chǎn)生動(dòng)作電位后，微電極N上記錄到電位負(fù)值增大的抑制性突觸后電位（IPSP），如圖3所示。已知K⁺和Cl^?通道都參與了IPSP的形成，IPSP產(chǎn)生的原理是

K⁺通道開(kāi)放導(dǎo)致K⁺外流，Cl^?通道開(kāi)放導(dǎo)致Cl^?內(nèi)流

K⁺通道開(kāi)放導(dǎo)致K⁺外流，Cl^?通道開(kāi)放導(dǎo)致Cl^?內(nèi)流

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（4）已知從刺激開(kāi)始到動(dòng)作電位產(chǎn)生有一短暫的延遲，且與刺激強(qiáng)度有關(guān)。為了規(guī)避該延遲對(duì)測(cè)量精度的影響，可利用微電極記錄技術(shù)設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)，精確測(cè)量動(dòng)作電位在神經(jīng)軸突上的傳導(dǎo)速度。請(qǐng)寫(xiě)出簡(jiǎn)要實(shí)驗(yàn)思路。（實(shí)驗(yàn)儀器：微電極記錄設(shè)備、刺激器、計(jì)時(shí)器、刻度尺等。）。