高純晶體硅是信息技術的關鍵材料．

（1）硅元素位于周期表的位置

第三周期第ⅣA族

第三周期第ⅣA族

．下面有關硅材料的說法中正確的是

BCD

BCD

（填字母）．
A．碳化硅化學性質穩(wěn)定，可用于生產耐高溫水泥
B．氮化硅硬度大、熔點高，可用于制作高溫陶瓷和軸承
C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料---光導纖維
D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，故在玻璃尖口點燃H₂時出現(xiàn)黃色火焰
E．鹽酸可以與硅反應，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
（2）工業(yè)上用石英砂和焦炭可制得粗硅．已知：圖1
請將以下反應的熱化學方程式補充完整：SiO₂（s）+2C（s）═Si（s）+2CO（g）△H=

+638.4 kJ?mol^-1

+638.4 kJ?mol^-1

（3）粗硅經系列反應可生成硅烷（SiH₄），硅烷分解生成高純硅．已知硅烷的分解溫度遠低于甲烷，用原子結構解釋其原因：

C和Si最外層電子數(shù)相同，C原子半徑小于Si

C和Si最外層電子數(shù)相同，C原子半徑小于Si

，Si元素的非金屬性弱于C元素，硅烷的熱穩(wěn)定性弱于甲烷．
（4）將粗硅轉化成三氯氫硅（SiHCl₃），進一步反應也可制得高純硅．
①SiHCl₃中含有的SiCl₄、AsCl₃等雜質對晶體硅的質量有影響．根據(jù)下表數(shù)據(jù)，可用

蒸餾（或分餾）

蒸餾（或分餾）

 方法提純SiHCl₃．

物質	SiHCl3	SiCl4	AsCl3
沸點/℃	32.0	57.5	131.6

②用SiHCl₃制備高純硅的反應為SiHCl₃（g）+H₂（g） 

一定條件下

Si（s）+3HCl（g），不同溫度下，SiHCl₃的平衡轉化率隨反應物的投料比（反應初始時，各反應物的物質的量之比）的變化關系如圖所示．下列說法正確的是

ac

ac

（填字母序號）．

a.該反應的平衡常數(shù)隨溫度升高而增大 
 b.橫坐標表示的投料比應該是

n

（

S

i

HC

l

3

）

n

（

H

2

）

c.實際生產中為提高SiHCl₃的利用率，應適當升高溫度
③整個制備過程必須嚴格控制無水無氧．SiHCl₃遇水劇烈反應生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質，寫出配平的化學反應方程式：

SiHCl₃+3H₂O═H₂SiO₃↓+H₂↑+3HCl↑

SiHCl₃+3H₂O═H₂SiO₃↓+H₂↑+3HCl↑

．