半導(dǎo)體芯片的關(guān)鍵材料是我國優(yōu)先發(fā)展的新材料。經(jīng)過半個多世紀(jì)的發(fā)展，硅基材料的半導(dǎo)體器件性能已經(jīng)接近其物理極限，以碳化硅、氮化鎵等為代表的第二代半導(dǎo)體材料成為當(dāng)今熱點。
回答下列問題：
（1）基態(tài)鎵原子的價電子排布式為：4s24p14s24p1，它位于元素周期表的第四四周期，第IIIAIIIA族。
（2）上述材料所涉及的四種元素中，原子半徑最小的是NN（填元素符號，下同），第一電離能I1最大的是NN。
（3）原硅酸根SiO44-的空間構(gòu)型是正四面體正四面體，其中Si的雜化軌道類型為sp3sp3。
（4）①金剛石、②晶體硅、③碳化硅，三者熔點由低到高的順序是②③①②③①（填序號），原因是三者結(jié)構(gòu)相似，都是共價晶體，碳原子半徑小于硅原子，鍵能C-C＞C-Si＞Si-Si三者結(jié)構(gòu)相似，都是共價晶體，碳原子半徑小于硅原子，鍵能C-C＞C-Si＞Si-Si。
（5）GaN被譽為21世紀(jì)引領(lǐng)5G時代的基石材料，是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點。有一種氮化鎵的六方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，其晶胞參數(shù)為：α=β=90°，γ=120°。已知：該晶體的密度為ρg/cm3，晶胞底邊邊長為acm,高為bcm,則阿伏加德羅常數(shù)為1123a2bρ1123a2bρmol-1（用含a、b、ρ的代數(shù)式表示）。
112
3
a
2
bρ
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3
a
2
bρ
【答案】4s24p1；四；IIIA；N；N；正四面體；sp3；②③①；三者結(jié)構(gòu)相似，都是共價晶體，碳原子半徑小于硅原子，鍵能C-C＞C-Si＞Si-Si；
112
3
a
2
bρ
【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：2引用：1難度：0.6
相似題
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1．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
2．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍色沉淀溶解，得到深藍色溶液，再向深藍色透明溶液中加入乙醇，析出深藍色晶體．藍色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
3．碳及其化合物有著重要用途。回答下列問題：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構(gòu)成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4