硅和鍺（Ge）是典型的半導(dǎo)體元素，在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛?；卮鹣铝袉?wèn)題：
（1）電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)可從能層、能級(jí)、軌道、自旋自旋4個(gè)方面進(jìn)行描述?；鶓B(tài)硅原子核外電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有 1414種，已知Sn在元素周期表第5周期和Si同族，Sn的原子序數(shù)是 5050，基態(tài)Sn原子價(jià)層電子的空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)有 33種。
（2）基態(tài)Ge原子的核外電子排布式是[Ar]3d104s24p23d104s24p2，有 22個(gè)未成對(duì)電子。下列現(xiàn)象與原子核外電子躍遷有關(guān)的是 abab。（填序號(hào)）
a.焰火
b.LED燈光
c.金屬導(dǎo)電
d.核輻射
（3）在周期表中，與Si的化學(xué)性質(zhì)最相似的鄰族元素是 BB，該元素基態(tài)原子核外電子排布圖是 
。
（4）比較下列鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)，分析其變化規(guī)律及原因 三者結(jié)構(gòu)組成結(jié)構(gòu)相似，均為分子晶體，隨相對(duì)分子質(zhì)量增大，分子間作用力增大，熔沸點(diǎn)升高。三者結(jié)構(gòu)組成結(jié)構(gòu)相似，均為分子晶體，隨相對(duì)分子質(zhì)量增大，分子間作用力增大，熔沸點(diǎn)升高。。
| GeCl4 | GeBr4 | GeI4 | |
| 熔點(diǎn)/℃ | ?49.5 | 26 | 146 |
| 沸點(diǎn)/℃ | 83.1 | 186 | 約400 |
【答案】自旋；14；50；3；3d104s24p2；2；ab；B；；三者結(jié)構(gòu)組成結(jié)構(gòu)相似，均為分子晶體，隨相對(duì)分子質(zhì)量增大，分子間作用力增大，熔沸點(diǎn)升高。
；三者結(jié)構(gòu)組成結(jié)構(gòu)相似，均為分子晶體，隨相對(duì)分子質(zhì)量增大，分子間作用力增大，熔沸點(diǎn)升高。【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：2引用：1難度：0.6
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1．化學(xué)與生產(chǎn)、生活密切相關(guān)，下列說(shuō)法正確的是（ ?。?/h2>
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