如圖，MN、PQ為足夠長平行光滑水平金屬導軌，處于豎直向下的勻強磁場中，GH、JK為足夠長傾斜粗糙平行金屬導軌，處于垂直導軌平面向下的勻強磁場中，底端接C=100μF的電容器。NQ端與GJ端高度差h=0.45m,水平距離x=1.2m?，F將導體棒cd靜置在水平分導軌固定小釘的右側，導體棒ab以速度v₀=9m/s從MP端滑入，一段時間后cd棒從NQ端拋出，恰能無碰撞從GJ端進入斜導軌。已知導軌間距均為1m,兩磁場的磁感應強度均為2T，兩棒質量均為0.01kg,接入電阻均為1Ω，導軌電阻不計，棒始終與導軌垂直且接觸良好，棒與斜導軌的動摩擦因數μ=0.75，g取10m/s²。求：
（1）cd棒從NQ端拋出時的速度大小v₁；
（2）cd棒拋出前瞬間ab棒所受安培力的功率P；
（3）最終電容器存儲的電荷量Q。