在芯片制造過程中，離子注入是其中一道重要的工序。為了準(zhǔn)確的注入離子，需要在一個(gè)有限空間中用電磁場(chǎng)對(duì)離子的運(yùn)動(dòng)軌跡進(jìn)行調(diào)控。現(xiàn)在，我們來研究一個(gè)類似的模型。在空間內(nèi)存在邊長(zhǎng)L=0.64m的立方體OACD-O'A'C'D'，以O(shè)為坐標(biāo)原點(diǎn)，沿OA、OO'和OD方向分別建立x、y、z軸。在OACD面的中心M處存在一粒子發(fā)射源，可在底面內(nèi)沿任意方向發(fā)射初速度為

v

0

=

8

.

0

×

1

0

4

m

/

s

，比荷

q

m

=

1

.

0

×

1

0

8

C

/

kg

的帶正電粒子（不計(jì)重力）?？稍趨^(qū)域內(nèi)施加一定的勻強(qiáng)電場(chǎng)或者勻強(qiáng)磁場(chǎng)，使粒子可以到達(dá)相應(yīng)的空間位置。
（1）在立方體內(nèi)施加沿y軸正向的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，使粒子不飛出立方體，求施加磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的最小值；
（2）在立方體內(nèi)施加沿y軸正向的勻強(qiáng)電場(chǎng)，使粒子只能從O'A'C'D'面飛出，求施加電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度E的最小值；
（3）在立方體內(nèi)施加沿y軸正向的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，若磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B=4.0×10^-3T，求粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)間的最大值t_max和最小值t_min；
（4）在（3）問的基礎(chǔ)上再加上沿y軸正向的勻強(qiáng)電場(chǎng)，電場(chǎng)強(qiáng)度為E=4.0×10²N/C。問（3）中最大時(shí)間和最小時(shí)間對(duì)應(yīng)的粒子能否從O'A'C'D'面飛出？若粒子不能從O'A'C'D'面飛出，請(qǐng)寫出這些粒子飛出立方體區(qū)域時(shí)的空間坐標(biāo)（x,y,z）。