由S、Cl 及Fe、Co、Ni 等過(guò)渡元素組成的新型材料有著廣泛的用途,回答下列問(wèn)題:
(1)鈷元素基態(tài)原子的電子排布式為
1s22s22p63s23p63d74s2或[Ar]3d74s2
1s22s22p63s23p63d74s2或[Ar]3d74s2
,P、S、C1的第一電離能由大到小順序?yàn)?!--BA-->Cl>P>S
Cl>P>S
。
(2)SCl2 分子中的中心原子雜化軌道類型是sp3
sp3
,該分子空間構(gòu)型為V形
V形
。
(3)Fe、Co、Ni 等過(guò)渡元素易與CO 形成配合物,化學(xué)式遵循18 電子規(guī)則:中心原子的價(jià)電子數(shù)加上配體提供的電子數(shù)之和等于18,如Ni 與CO 形成配合物化學(xué)式為Ni (CO)4,則Fe 與CO 形成配合物化學(xué)式為Fe(CO)5
Fe(CO)5
。Ni(CO)4中σ鍵與π鍵個(gè)數(shù)比為1:1
1:1
,已知:Ni(CO)4熔點(diǎn)-19.3℃,沸點(diǎn)43℃,則Ni (CO)4為分子
分子
晶體。
(4)已知NiO 的晶體結(jié)構(gòu)如圖1所示。
①NiO的晶體結(jié)構(gòu)可描述為:氧原子位于面心和頂點(diǎn),氧原子可形成正八面體空隙和正四面體空隙,鎳原子填充在氧原子形成的空隙中。則NiO 晶體中鎳原子填充在氧原子形成的正八面
正八面
體空隙中。
②已知MgO與NiO的晶體結(jié)構(gòu)相同,其中Mg2+和Ni2+的離子半徑分別為66pm 和69pm。則熔點(diǎn):MgO>
>
NiO( 填“>”、“<”或“=”),理由是Mg2+半徑比 Ni2+小,MgO 的晶格能比 NiO 大
Mg2+半徑比 Ni2+小,MgO 的晶格能比 NiO 大
。
③一定溫度下,NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”,可以認(rèn)為O2-作密置單層排列,Ni2+填充O2-形成的正三角形空隙中(如圖2),已知O2-的半徑為am,每平方米面積上分散的NiO 的質(zhì)量為g.(用a、NA表示)