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由S、Cl 及Fe、Co、Ni 等過(guò)渡元素組成的新型材料有著廣泛的用途,回答下列問(wèn)題:
(1)鈷元素基態(tài)原子的電子排布式為
1s22s22p63s23p63d74s2或[Ar]3d74s2
1s22s22p63s23p63d74s2或[Ar]3d74s2
,P、S、C1的第一電離能由大到小順序?yàn)?!--BA-->
Cl>P>S
Cl>P>S
。
(2)SCl2 分子中的中心原子雜化軌道類型是
sp3
sp3
,該分子空間構(gòu)型為
V形
V形
。
(3)Fe、Co、Ni 等過(guò)渡元素易與CO 形成配合物,化學(xué)式遵循18 電子規(guī)則:中心原子的價(jià)電子數(shù)加上配體提供的電子數(shù)之和等于18,如Ni 與CO 形成配合物化學(xué)式為Ni (CO)4,則Fe 與CO 形成配合物化學(xué)式為
Fe(CO)5
Fe(CO)5
。Ni(CO)4中σ鍵與π鍵個(gè)數(shù)比為
1:1
1:1
,已知:Ni(CO)4熔點(diǎn)-19.3℃,沸點(diǎn)43℃,則Ni (CO)4
分子
分子
晶體。
(4)已知NiO 的晶體結(jié)構(gòu)如圖1所示。
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①NiO的晶體結(jié)構(gòu)可描述為:氧原子位于面心和頂點(diǎn),氧原子可形成正八面體空隙和正四面體空隙,鎳原子填充在氧原子形成的空隙中。則NiO 晶體中鎳原子填充在氧原子形成的
正八面
正八面
體空隙中。
②已知MgO與NiO的晶體結(jié)構(gòu)相同,其中Mg2+和Ni2+的離子半徑分別為66pm 和69pm。則熔點(diǎn):MgO
  NiO( 填“>”、“<”或“=”),理由是
Mg2+半徑比 Ni2+小,MgO 的晶格能比 NiO 大
Mg2+半徑比 Ni2+小,MgO 的晶格能比 NiO 大
。
③一定溫度下,NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”,可以認(rèn)為O2-作密置單層排列,Ni2+填充O2-形成的正三角形空隙中(如圖2),已知O2-的半徑為am,每平方米面積上分散的NiO 的質(zhì)量為
25
3
2
a
2
N
A
25
3
2
a
2
N
A
g.(用a、NA表示)

【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算
【答案】1s22s22p63s23p63d74s2或[Ar]3d74s2;Cl>P>S;sp3;V形;Fe(CO)5;1:1;分子;正八面;>;Mg2+半徑比 Ni2+小,MgO 的晶格能比 NiO 大;
25
3
2
a
2
N
A
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書(shū)面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:30引用:4難度:0.5
相似題
  • 1.完成下列問(wèn)題:
    (1)GaAs的熔點(diǎn)為1238℃,可作半導(dǎo)體材料,而GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃。預(yù)測(cè)GaCl3的晶體類型可能為
     

    (2)GaAs晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則晶胞中每個(gè)Ga原子周圍有
     
    個(gè)緊鄰等距的As原子;該晶體的密度為ρg/cm3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,則晶體中最近的兩個(gè)Ga原子的核間距離為
     
    cm(列出計(jì)算式)。
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    (2)ZnO晶體中部分O原子被N原子替代后可以改善半導(dǎo)體的性能,Zn-N鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)小于Zn-O鍵,原因是
     
    。
    (3)CH3Mn(CO)5與I2反應(yīng)可用于制備CH3I,反應(yīng)前后錳的配位數(shù)不變,CH3Mn(CO)5與I2反應(yīng)的化學(xué)方程式為
     
    。
    (4)將含有未成對(duì)電子的物質(zhì)置于外磁場(chǎng)中,會(huì)使磁場(chǎng)強(qiáng)度增大,稱其為順磁性物質(zhì)。下列物質(zhì)中,屬于順磁性物質(zhì)的是
     
    (填標(biāo)號(hào))。
    A.[Cu(NH32]Cl
    B.[Zn(NH34]SO4
    C.[Cu(NH34]SO4
    D.Na2[Zn(OH)4]

    發(fā)布:2024/11/7 1:0:2組卷:21引用:1難度:0.6
  • 2.硅烷廣泛應(yīng)用在現(xiàn)代高科技領(lǐng)域。制備硅烷的反應(yīng)為SiF4+NaAlH4═SiH4+NaAlF4
    (1)①基態(tài)硅原子的價(jià)層電子軌道表示式為
     
    。
    ②SiF4中,硅的化合價(jià)為+4價(jià)。硅顯正化合價(jià)的原因是
     
    。
    ③下列說(shuō)法正確的是
     
    (填序號(hào))。
    a.SiF4的熱穩(wěn)定性比CH4的差
    b.SiH4中4個(gè)Si-H的鍵長(zhǎng)相同,H-Si-H的鍵角為90°
    c.SiH4中硅原子以4個(gè)sp3雜化軌道分別與4個(gè)氫原子的1s軌道重疊,形成4個(gè)Si-Hσ鍵
    ④SiF4的沸點(diǎn)(-86℃)高于SiH4的沸點(diǎn)(-112℃),原因是
     

    (2)NaAlH4的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞的體積為a2b×10-21cm3。
    菁優(yōu)網(wǎng)
    A
    l
    H
    -
    4
    的VSEPR模型名稱為
     
    。
    ②用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值。NaAlH4晶體密度為
     
    g?cm-3(用含a、b、NA的代數(shù)式表示)。
    ③NaAlH4是一種具有應(yīng)用潛能的儲(chǔ)氫材料,其釋氫過(guò)程可用化學(xué)方程式表示為:3NaAlH4═Na3AlH6+2Al+3H2↑。摻雜22Ti替換晶體中部分Al,更利于NaAlH4中H的解離,使體系更容易釋放氫。從結(jié)構(gòu)的角度推測(cè)其可能原因:
     
    。

    發(fā)布:2024/11/6 14:0:2組卷:52引用:1難度:0.7
  • 菁優(yōu)網(wǎng)3.X、Y、Z、W、Q是周期表中前4周期元素,且原子序數(shù)依次增大。X、Z的基態(tài)原子2p軌道中均有2個(gè)未成對(duì)電子,W的最外層電子數(shù)是次外層的一半,Q最外層有1個(gè)電子,內(nèi)層電子全部充滿。Q2+能與NH3形成[Q(NH34]2+,[Q(NH34]2+中2個(gè)NH3被2個(gè)Cl-取代可得兩種不同的結(jié)構(gòu)。Q2Z種晶胞如下圖所示。下列說(shuō)法正確的是( ?。?/h2>

    發(fā)布:2024/11/6 20:0:1組卷:15引用:2難度:0.7
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