光刻機是半導體行業(yè)中重中之重的利器，我國上海微電子裝備公司（SMEE）在這一領域的技術近年取得了突破性進展。電子束光刻技術原理簡化如圖所示，電子槍發(fā)射的電子經過成型孔后形成電子束，通過束偏移器后對光刻膠進行曝光。某型號光刻機的束偏移器長L=0.04m,間距也為L，兩極間有掃描電壓，其軸線垂直晶圓上某芯片表面并過中心O點，芯片到束偏移器下端的距離為L2。若進入束偏移器時電子束形成的電流大小為I=2×10-8A，單個電子的初動能為Ek0=1.6×10-14J，不計電子重力及電子間的相互作用力，忽略其他因素的影響，電子到達芯片即被吸收。
（1）若掃描電壓為零，電子束在束偏移器中做何種運動？電子束到達芯片時的落點位置？
（2）若掃描電壓為零，且It=Ne（N為電子個數(shù)），求O點每秒接收的能量E？（e=1.6×10-19C）
（3）若某時刻掃描電壓為15kV，則電子束到達芯片時的位置離O點的距離為多少？
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：36引用：2難度：0.6
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1．如圖，在空間直角坐標系坐標原點處有一m=0.01kg,q=0.075C的帶正電小球以v0=10m/s的初速度，沿x軸正方向射入勻強電場中。電場方向沿Z軸正方向，電場強度E=1.0V/m,當?shù)刂亓铀俣萭=10m/s2，則以下圖像正確的是（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/16 7:30:2組卷：66引用：1難度：0.5 -
2．某科研小組在進行一次科研實驗時，將一個能產生多種正離子（質子、氘核、氚核及氦核等）的粒子源放在如圖裝置的位置。粒子源產生的正離子飄入（初速度很小，可忽略不計）電壓為U1的加速電場，經加速后從小孔S沿平行金屬板A、B的中心線射入。已知平行金屬板A、B板長為L，相距為d,兩板間的電壓為U2。若離子能從A、B板間射出（不計離子的重力），則（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/17 12:2:24組卷：352引用：4難度：0.6 -
3．如圖所示，A、B兩帶正電粒子質量相等，電荷量之比為1：4．兩粒子在O上方同一位置沿垂直電場方向射入平行板電容器中，分別打在C、D兩點，OC=CD忽略粒子重力及粒子間的相互作用，下列說法正確的是（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/19 14:30:2組卷：204引用：3難度：0.5
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