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2022-2023學(xué)年福建省泉州市安溪縣高二(上)期中物理試卷
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試題詳情
一平行板電容器間距為3d,板長(zhǎng)為3L,建立如圖所示的xOy直角坐標(biāo)系。有一質(zhì)量為m,電量為q的粒子,貼著A板內(nèi)側(cè)O點(diǎn)沿水平方向射入A、B兩板間的勻強(qiáng)電場(chǎng),當(dāng)A、B板間電壓為U時(shí),帶電粒子從坐標(biāo)為(3L,d)的C點(diǎn)飛出;若只改變A、B板間的電壓,則帶電粒子落到坐標(biāo)為(L,3d)的D點(diǎn),粒子重力不計(jì)。求:
(1)粒子射入電場(chǎng)的初速度大??;
(2)改變后的電壓大小。
【考點(diǎn)】
帶電粒子在勻強(qiáng)電場(chǎng)中做類平拋運(yùn)動(dòng)
.
【答案】
見試題解答內(nèi)容
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59
組卷:33
引用:3
難度:0.4
相似題
1.
如圖所示為某一點(diǎn)電荷所形成的一簇電場(chǎng)線,a、b、c三條虛線為三個(gè)帶電粒子以相同的速度從O點(diǎn)射入電場(chǎng)的運(yùn)動(dòng)軌跡,其中b虛線是以點(diǎn)電荷為圓心的一段圓弧,AB的長(zhǎng)度等于BC的長(zhǎng)度,且三個(gè)粒子的電荷量大小相等,不計(jì)粒子重力,則下列說法正確的是( ?。?
A.b虛線對(duì)應(yīng)的粒子的質(zhì)量大于c虛線對(duì)應(yīng)的粒子的質(zhì)量
B.a(chǎn)一定是正粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡,b和c一定是負(fù)粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡
C.a(chǎn)、c虛線對(duì)應(yīng)的粒子的速度越來越大,b虛線對(duì)應(yīng)的粒子的速度不變
D.a(chǎn)虛線對(duì)應(yīng)的粒子的加速度越來越小,c虛線對(duì)應(yīng)的粒子的加速度越來越大,b虛線對(duì)應(yīng)的粒子的加速度不變
發(fā)布:2024/10/24 1:0:4
組卷:33
引用:1
難度:0.5
解析
2.
如圖所示,虛線a、b、c代表電場(chǎng)中三個(gè)等勢(shì)面,相鄰等勢(shì)面之間的電勢(shì)差相等,即U
ab
=U
bc
,實(shí)線為一帶負(fù)電的電子僅在電場(chǎng)力作用下通過該區(qū)域時(shí)的運(yùn)動(dòng)軌跡,P、Q是這條軌跡上的兩點(diǎn),據(jù)此可知( ?。?/h2>
A.三個(gè)等勢(shì)面中,a的電勢(shì)最高
B.電子在P點(diǎn)具有的電勢(shì)能比在Q點(diǎn)具有的電勢(shì)能大
C.電子通過P點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能比通過Q點(diǎn)時(shí)大
D.電子通過P點(diǎn)時(shí)的加速度比通過Q點(diǎn)時(shí)小
發(fā)布:2024/11/1 9:30:2
組卷:579
引用:18
難度:0.9
解析
3.
如圖所示,水平放置的平行板電容器充電后與電源斷開,一帶電粒子從A點(diǎn)沿半圓ABC的直徑方向始終以速度v水平射入電場(chǎng),恰好經(jīng)過半圓的最低點(diǎn)B,粒子重力不計(jì)。下列分析正確的( )
A.若僅將下板水平右移少許,粒子軌跡與半圓ABC的交點(diǎn)在B點(diǎn)的左側(cè)
B.若僅將下板水平右移少許,粒子軌跡與半圓ABC的交點(diǎn)在B點(diǎn)的右側(cè)
C.若僅將下板豎直下移少許,粒子軌跡與半圓ABC的交點(diǎn)在B點(diǎn)的左側(cè)
D.若僅將下板豎直下移少許,粒子軌跡與半圓ABC的交點(diǎn)在B點(diǎn)的右側(cè)
發(fā)布:2024/11/2 1:30:2
組卷:160
引用:2
難度:0.6
解析
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