以粗硅(含鐵、鋁等雜質(zhì))為原料,工業(yè)上有以下兩種制備高純硅的工藝如圖1。已知:SiCl4沸點(diǎn)57.7℃,遇水強(qiáng)烈水解;SiHCl3沸點(diǎn)31.5℃,且能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),并在空氣中易自燃
(1)寫(xiě)出制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為 。
(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3中含有少量SiCl4和HCl,操作①采用的方法為
分餾(或蒸餾)
分餾(或蒸餾)
。
(3)實(shí)驗(yàn)室用如圖2裝置制備SiCl4(反應(yīng)溫度在400℃~500℃)
①裝置F的作用是 吸收尾氣Cl2,并防止空氣中的水蒸氣進(jìn)入廣口瓶
吸收尾氣Cl2,并防止空氣中的水蒸氣進(jìn)入廣口瓶
。實(shí)驗(yàn)開(kāi)始應(yīng)先點(diǎn)燃(填“A”或“D”)裝置的酒精燈一段時(shí)間后再點(diǎn)燃另一酒精燈。
②寫(xiě)出A裝置中的化學(xué)反應(yīng)方程式 MnO
2+4HCl(濃)
MnCl
2+Cl
2↑+2H
2O
MnO
2+4HCl(濃)
MnCl
2+Cl
2↑+2H
2O
。
(4)SiHCl3過(guò)量H2制備純硅的裝置如圖3(熱源及夾持裝置已略去)。
裝置B中的試劑是 濃硫酸
濃硫酸
(填名稱(chēng)),裝置C中的燒瓶加熱的目的是 使進(jìn)入燒瓶的液態(tài)SiHCl3變?yōu)闅怏w
使進(jìn)入燒瓶的液態(tài)SiHCl3變?yōu)闅怏w
。實(shí)驗(yàn)中先讓稀硫酸與鋅粒反應(yīng)一段時(shí)間后,再加熱C、D裝置的理由是 讓H2排盡裝置中的空氣,防止SiHCl3水解和自燃
讓H2排盡裝置中的空氣,防止SiHCl3水解和自燃
,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為 。