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菁優(yōu)網(wǎng)半導(dǎo)體有著廣泛的應(yīng)用,人們通過(guò)離子注入的方式優(yōu)化半導(dǎo)體以滿足不同的需求.離子注入系統(tǒng)的原理簡(jiǎn)化如圖所示.質(zhì)量為m、電荷量為q的正離子經(jīng)電場(chǎng)加速后從EE1中點(diǎn)P垂直O(jiān)E射入四分之一環(huán)形勻強(qiáng)磁場(chǎng),環(huán)形磁場(chǎng)圓心為O,內(nèi)環(huán)半徑OE1=OG1=R,外環(huán)半徑OE=OG=3R,磁場(chǎng)方向垂直紙面向里.當(dāng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B0時(shí),離子恰好垂直邊界從GG1中點(diǎn)Q射出。不考慮離子重力以及離子間的相互作用。求:
(1)加速電場(chǎng)M、N兩板間的電壓;
(2)為使離子能夠到達(dá)GG1面,環(huán)形區(qū)域內(nèi)磁場(chǎng)的取值范圍。

【答案】見(jiàn)試題解答內(nèi)容
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:255引用:4難度:0.4
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    d
    2
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