半導(dǎo)體芯片的發(fā)明促進(jìn)了人類信息技術(shù)的發(fā)展，單晶硅、砷化鎵（GaAs）、碳化硅等是制作半導(dǎo)體芯片的關(guān)鍵材料，也是我國(guó)優(yōu)先發(fā)展的新材料。請(qǐng)回答以下問(wèn)題：
（1）上述材料所涉及的四種元素中電負(fù)性最小的元素是 GaGa（填元素符號(hào)），基態(tài)砷原子價(jià)層電子的軌道表達(dá)式為 
，和As位于同一周期，且未成對(duì)電子數(shù)也相同的元素還有 22種。
（2）SiCl4是生產(chǎn)高純硅的前驅(qū)體，沸點(diǎn)57.6℃，可混溶于苯、氯仿等有機(jī)溶劑，則SiCl4晶體類型為 分子晶體分子晶體，熔化時(shí)克服的作用力是 分子間作用力分子間作用力。其中Si采取的雜化類型為 sp3sp3?；衔颪（CH3）3和N（SiH3）3的結(jié)構(gòu)如圖1所示，更易形成配合物的是 N（CH3）3N（CH3）3，判斷理由是 N（CH3）3中氮原子具有孤對(duì)電子，N（SiH3）3中氮原子沒(méi)有孤對(duì)電子N（CH3）3中氮原子具有孤對(duì)電子，N（SiH3）3中氮原子沒(méi)有孤對(duì)電子。
（3）β-SiC的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，若碳和硅的原子半徑分別為apm和bpm,密度為ρg?cm-3，晶胞中4個(gè)C構(gòu)成的空間構(gòu)型為 正四面體形正四面體形，其原子的空間利用率（即晶胞中原子體積占空間體積的百分率）為 163π（a3+b3）×10-304×40ρNA×100%163π（a3+b3）×10-304×40ρNA×100%。
16
3
π
（
a
3
+
b
3
）
×
1
0
-
30
4
×
40
ρ
N
A
16
3
π
（
a
3
+
b
3
）
×
1
0
-
30
4
×
40
ρ
N
A
【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算；原子軌道雜化方式及雜化類型判斷．
【答案】Ga；；2；分子晶體；分子間作用力；sp3；N（CH3）3；N（CH3）3中氮原子具有孤對(duì)電子，N（SiH3）3中氮原子沒(méi)有孤對(duì)電子；正四面體形；×100%
；2；分子晶體；分子間作用力；sp3；N（CH3）3；N（CH3）3中氮原子具有孤對(duì)電子，N（SiH3）3中氮原子沒(méi)有孤對(duì)電子；正四面體形；16
3
π
（
a
3
+
b
3
）
×
1
0
-
30
4
×
40
ρ
N
A
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書(shū)面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：21引用：2難度：0.4
相似題
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1．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號(hào)表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
2．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對(duì)電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個(gè)能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個(gè)電子．
試回答下列問(wèn)題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為，F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)填寫(xiě)），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍(lán)色沉淀溶解，得到深藍(lán)色溶液，再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇，析出深藍(lán)色晶體．藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對(duì)原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
3．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉?wèn)題：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4
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