半導體砷化硼具有超高的導熱系數(shù)，有助于電子器件降溫散熱。回答下列問題：
（1）基態(tài)砷原子的電子排布式為 [Ar]3d104s24p3或1s22s22p63s23p63d104s24p3[Ar]3d104s24p3或1s22s22p63s23p63d104s24p3。
（2）實驗測得，砷原子的第一電離能大于硒原子的第一電離能，原因是 砷原子最外層p軌道處于半充滿狀態(tài)，較穩(wěn)定砷原子最外層p軌道處于半充滿狀態(tài)，較穩(wěn)定。
（3）三氧化二砷的分子結(jié)構(gòu)如圖所示，分子中砷原子的雜化方式是 sp3sp3，氧原子的雜化方式是 sp3sp3。
（4）NH3BH3分子中，與N原子相連的H呈正電性（Hδ+），與B原子相連的H呈負電性（Hδ-），則H、B、N電負性大小順序是 N＞H＞BN＞H＞B。
（5）已知：
| 名稱 | 硼酸 | 亞砷酸 | 亞磷酸 |
| 分子式 | H3BO3 | H3AsO3 | H3PO3 |
| 結(jié)構(gòu)式 |  |
 |
|
| 類型 | 一元弱酸 | 三元弱酸 | 二元弱酸 |
②硼酸溶于水的電離方程式為
H3BO3+H2O=H++[B（OH）4]-
H3BO3+H2O=H++[B（OH）4]-
。（6）砷化硼的晶胞結(jié)構(gòu)如圖（a）所示，圖（b）中矩形AA'C'C是沿晶胞對角面取得的截圖。
①若晶胞的邊長均為apm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，晶體的密度為
4
×
（
11
+
75
）
N
A
（
a
×
1
0
-
10
）
3
4
×
（
11
+
75
）
N
A
（
a
×
1
0
-
10
）
3
②晶胞中各原子在矩形AA'C'C的位置為
B
B
（填標號）。
【答案】[Ar]3d104s24p3或1s22s22p63s23p63d104s24p3；砷原子最外層p軌道處于半充滿狀態(tài)，較穩(wěn)定；sp3；sp3；N＞H＞B；；H3BO3+H2O=H++[B（OH）4]-；；B
；H3BO3+H2O=H++[B（OH）4]-；4
×
（
11
+
75
）
N
A
（
a
×
1
0
-
10
）
3
【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：14引用：2難度：0.5
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（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
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