鎵（Ga）、鍺（Ge）、硅（Si）、硒（Se）的單質(zhì)及某些化合物如砷化鎵、磷化鎵等都是常用的半導(dǎo)體材料，應(yīng)用于航空航天測控、光纖通訊等領(lǐng)域?；卮鹣铝袉栴}：
（1）硒常用作光敏材料，基態(tài)硒原子的核外電子排布式為

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p⁴（或[Ar]3d¹⁰4s²4p⁴）

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p⁴（或[Ar]3d¹⁰4s²4p⁴）

；與硒同周期的p區(qū)元素中第一電離能大于硒的元素有

3

3

種；SeO₃的空間構(gòu)型是

平面正三角形

平面正三角形

。
（2）水晶的主要成分是二氧化硅，在水晶中硅原子的配位數(shù)是

4

4

。硅與氫結(jié)合能形成一系列的二元化合物SiH₄、Si₂H₆等，與氯、溴結(jié)合能形成SiCl₄、SiBr₄，上述四種物質(zhì)沸點(diǎn)由高到低順序?yàn)?

SiBr₄＞SiCl₄＞Si₂H₆＞SiH₄

SiBr₄＞SiCl₄＞Si₂H₆＞SiH₄

，丁硅烯（Si₄H₈）中σ鍵與π鍵個(gè)數(shù)之比為

11：1

11：1

。
（3）GaN、GaP、GaAs都是原子晶體，熔點(diǎn)如表所示，分析其熔點(diǎn)變化的原因

三者均為原子晶體，原子半徑：N＜P＜As,鍵長：Ga-N＜Ga-P＜Ga-As,鍵能：Ga-N＞Ga-P＞Ga-As,故熔點(diǎn)降低

三者均為原子晶體，原子半徑：N＜P＜As,鍵長：Ga-N＜Ga-P＜Ga-As,鍵能：Ga-N＞Ga-P＞Ga-As,故熔點(diǎn)降低

。

	GaN	GaP	GaAs
熔點(diǎn)	1700℃	1480℃	1238℃

（4）GaN晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示。已知六棱柱底邊邊長為apm,阿伏加德羅常數(shù)的值為N_A。

從GaN晶體中分割出的平行六面體如圖乙，該平行六面體的高為

2

6

3

apm,GaN晶體的密度為

84

2

N

A

a

3

×

1

0

30

84

2

N

A

a

3

×

1

0

30

g/cm³。（用a、N_A表示）