含有主族元素B、N、P、As、Se、Cl的某些化合物對工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)意義重大。回答下列問題:
(1)N、P、As電負(fù)性由大到小的順序為 N>P>AsN>P>As,As的第一電離能比Se的第一電離能大的原因為 As的4p能級是半充滿狀態(tài),能量更低,更穩(wěn)定As的4p能級是半充滿狀態(tài),能量更低,更穩(wěn)定。
(2)檢驗微量砷的原理為2AsH3+12AgNO3+3H2O═As2O3↓+12HNO3+12Ag↓。AsH3常溫下為無色氣體。As的基態(tài)核外電子排布式為 [Ar]3d104s24p3[Ar]3d104s24p3,NO-3的空間構(gòu)型為 平面三角形平面三角形,固態(tài)AsH3屬于 分子分子晶體。
(3)硼酸(H3BO3)是一種片層狀結(jié)構(gòu)的白色晶體,層內(nèi)的H3BO3分子間通過氫鍵相連(如圖)。
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則1molH3BO3的晶體中有 33mol氫鍵。
硼酸溶于水生成弱電解質(zhì)一水合硼酸B(OH)3?H2O,它電離生成少量[B(OH)4]-和H+,則[B(OH)4]-含有的化學(xué)鍵類型為 BDBD。
A.離子鍵
B.配位鍵
C.金屬鍵
D.極性鍵
(4)下列類比或推理合理的是 CC。
NO
-
3
選項 | 已知 | 方法 | 結(jié)論 |
A | 單質(zhì)活潑性:F2>Cl2 | 類比 | 單質(zhì)活潑性:N2>P4 |
B | Fe3O4可表示為FeO?Fe2O3 | 類比 | Pb3O4也可表示為PbO?Pb2O3 |
C | NH3的成鍵電子對間排斥力較大 | 推理 | NH3的鍵角比PH3的大 |
D | SO2通入BaCl2溶液無明顯現(xiàn)象 | 推理 | SO2通入Ba(NO3)2溶液無明顯現(xiàn)象 |
Fe
Fe
(填元素符號);在該化合物中,M離子的價電子排布式 3d6
3d6
。?
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【答案】N>P>As;As的4p能級是半充滿狀態(tài),能量更低,更穩(wěn)定;[Ar]3d104s24p3;平面三角形;分子;3;BD;C;Fe;3d6
【解答】
【點評】
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發(fā)布:2024/9/13 0:0:8組卷:41引用:1難度:0.5
相似題
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1.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
(1)基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為
(2)(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為
③SO42-中S原子的雜化方式為
(3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
(4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計算表達(dá)式為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7 -
2.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數(shù)依次增大,其相關(guān)信息如下:
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù);
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子;
③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1;
④F原子有四個能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個電子.
試回答下列問題:
(1)基態(tài)E原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為
(2)B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序為
(3)B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性:BA4小于A2D,原因是
(4)以E、F的單質(zhì)為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應(yīng)式為
(5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,藍(lán)色沉淀溶解,得到深藍(lán)色溶液,再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇,析出深藍(lán)色晶體.藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為
(6)F的晶胞結(jié)構(gòu)(面心立方)如圖2所示:已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為發(fā)布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5 -
3.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為
(2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
(3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
(4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
(5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點構(gòu)成),則平均每一個C60晶胞中有發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4