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2021-2022學年安徽省宣城市高三(上)第一次調(diào)研化學試卷(一模)
>
試題詳情
近年來,我國工程建設(shè)自主創(chuàng)新能力實現(xiàn)大跨越,尤其在新材料研究方面有重大突破,回答下列問題:
(1)鈦是一種新興的結(jié)構(gòu)材料,比鋼輕、比鋁硬?;鶓B(tài)鈦原子的價電子排布式為
3d
2
4s
2
3d
2
4s
2
,與鈦同周期的元素中,基態(tài)原子的未成對電子數(shù)與鈦相間的有
3
3
種。
(2)鐵能與三氮唑(結(jié)構(gòu)見圖甲)形成多種配合物。
①1mol三氮唑中所含σ鍵的數(shù)目為
8
8
mol;碳原子雜化方式是
sp
2
sp
2
。
②三氮唑的沸點為260℃,與之結(jié)構(gòu)相似且相對分子質(zhì)量接近的環(huán)戊二烯(結(jié)構(gòu)見圖乙)的沸點為42.5℃。前者沸點較高的原因是
三氮唑分子間可形成氫鍵,而環(huán)戊二烯不能
三氮唑分子間可形成氫鍵,而環(huán)戊二烯不能
.
(3)碳化鎢是耐高溫耐磨材料。圖丙為碳化鎢晶體的部分結(jié)構(gòu),碳原子嵌入金屬的晶格間隙,并不破壞原有金屬的晶格,形成填隙化合物。
①在該結(jié)構(gòu)中,每個鎢原子周圍距離其最近的碳原子有
6
6
個。
②假設(shè)該部分晶體的體積為Vcm
3
,碳化鎢的摩爾質(zhì)量為Mg?mol
-1
,密度為dg?cm
-3
,則阿伏加德羅常數(shù)的值N
A
用上述數(shù)據(jù)表示為
N
A
=
6
M
d
V
N
A
=
6
M
d
V
。
③金屬鎂的晶體結(jié)構(gòu)與碳化鎢相似,金屬鎂的晶胞可用圖丁表示,已知鎂原子的半徑為rpm,晶胞高為hpm,求晶胞中鎂原子的空間利用率
4
πr
3
3
h
(或
4
3
πr
9
h
)
4
πr
3
3
h
(或
4
3
πr
9
h
)
。(用化簡后含字母π、r和h的代數(shù)式表示)
【考點】
晶胞的計算
;
原子軌道雜化方式及雜化類型判斷
;
原子核外電子排布
.
【答案】
3d
2
4s
2
;3;8;sp
2
;三氮唑分子間可形成氫鍵,而環(huán)戊二烯不能;6;N
A
=
6
M
d
V
;
4
πr
3
3
h
(或
4
3
πr
9
h
)
【解答】
【點評】
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59
組卷:53
引用:6
難度:0.4
相似題
1.
碘及其化合物在生產(chǎn)、生活中有著廣泛的應(yīng)用?;卮鹣铝袉栴}:
電負性:H 2.20;C 2.55;F 3.98;P 2.19;I 2.66
(1)人工合成的
131
I是醫(yī)療上常用的放射性同位素,碘在周期表中的位置是
。
(2)碘單質(zhì)在CS
2
中的溶解度比在水中的大,解釋原因
。
(3)HI主要用于藥物合成,通常用I
2
和P反應(yīng)生成PI
3
,PI
3
再水解制備HI。PI
3
的空間結(jié)構(gòu)是
,PI
3
水解生成HI的化學方程式是
。
(4)CH
3
I是一種甲基化試劑,CF
3
I可用作制冷劑,CH
3
I和CF
3
I發(fā)生水解時的主要反應(yīng)分別是:CH
3
I+H
2
O→CH
3
OH+HI和CF
3
I+H
2
O→CF
3
H+HIO。CF
3
I的水解產(chǎn)物是HIO,結(jié)合電負性解釋原因
。
(5)KIO
3
晶體是一種性能良好的光學材料,其晶胞為立方體,邊長為anm,晶胞中K、I、O分別處于頂點、體心、面心位置,結(jié)構(gòu)如圖。
①與K原子緊鄰的O原子有
個。
②KIO
3
的摩爾質(zhì)量為214g/mol,阿伏加德羅常數(shù)為N
A
。該晶體的密度是
g/cm
3
(1nm=10
-9
m)。
發(fā)布:2024/11/17 0:30:1
組卷:93
引用:4
難度:0.6
解析
2.
一種含釩超導材料的晶胞結(jié)構(gòu)及晶體結(jié)構(gòu)俯視圖如圖,晶胞參數(shù)為xnm、xnm、ynm,摩爾質(zhì)量為Mrg/mol(Sb原子有兩種位置關(guān)系,分別用Sb1和Sb2代表),下列敘述中錯誤的是( ?。?br />
A.該晶體的化學式為CsV
3
Sb
5
B.與Cs原子距離最近的Sb1原子有6個
C.基態(tài)V
2+
占據(jù)的最高能層的符號是M
D.該含釩超導材料的晶體密度為
M
r
N
A
×
3
2
×
x
2
×
y
×
10
-
21
g?cm
-3
發(fā)布:2024/11/17 0:30:1
組卷:43
引用:1
難度:0.5
解析
3.
氮族元素的單質(zhì)及其化合物在生活、生產(chǎn)中有廣泛應(yīng)用?;卮鹣铝袉栴}:
(1)下列電子排布圖能表示基態(tài)N原子的核外電子排布情況的是
。(填標號)
A.
B.
C.
D.
(2)鍵角:NH
3
>PH
3
>AsH
3
,從原子結(jié)構(gòu)角度分析原因:
。AsH
3
中As原子的雜化類型是
,AsH
3
的空間構(gòu)型是
。
(3)白磷中毒后,用硫酸銅溶液解毒,其反應(yīng)原理為11P
4
+60CuSO
4
+96H
2
O═20Cu
3
P+24H
3
PO
4
+60H
2
SO
4
。
①白磷的結(jié)構(gòu)如圖1所示,上述反應(yīng)轉(zhuǎn)移20mol電子時,破壞P
4
中
mol σ鍵。與CuSO
4
中陰離子互為等電子體的分子有
。(填一種即可)
②Cu
3
P中銅粒子的價層電子排布式為
。
③在CuSO
4
溶液中滴加過量氨水生成藍色溶液,主要成分是[Cu(NH
3
)
4
]SO
4
,其中不存在的作用力類型有
。(填標號)
A.離子鍵
B.金屬鍵
C.配位鍵
D.極性共價鍵
(4)聯(lián)氨(N
2
H
4
)的沸點為113.5℃,聯(lián)磷(P
2
H
4
)的沸點為55℃,主要原因是
。
(5)磷化硼是一種半導體材料,早在1891年,法國化學家亨利?莫瓦桑就合成了磷化硼晶體,其晶胞如圖2所示。磷化硼的化學式為
。磷化硼的熔點為1100℃,它的晶體類型是
。
(6)砷化鎵是一種重要的半導體材料,用來制作微波器件等。砷化鎵的晶胞如圖3所示。已知砷化鎵的摩爾質(zhì)
量為Mg?mol
-1
,密度為dg?cm
-3
,N
A
代表阿伏加德羅常數(shù)的值。圖3中As原子與Ga原子的最短核間距為
pm。
發(fā)布:2024/11/17 8:0:1
組卷:49
引用:1
難度:0.5
解析
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