鎵與ⅤA族元素形成的化合物是重要的半導(dǎo)體材料，應(yīng)用最廣泛的是砷化鎵（GaAs）?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為 [Ar]3d104s24p1[Ar]3d104s24p1，基態(tài)As原子核外有 33個未成對電子。
| 鎵的鹵化物 | GaCl3 | GaBr3 | GaI3 |
| 熔點(diǎn)/℃ | 77.75 | 122.3 | 211.5 |
| 沸點(diǎn)/℃ | 201.2 | 279 | 346 |
GaCl3、GaBr3、GaI3的熔、沸點(diǎn)依次升高，它們均為分子晶體，結(jié)構(gòu)相似，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力依次增強(qiáng)
GaCl3、GaBr3、GaI3的熔、沸點(diǎn)依次升高，它們均為分子晶體，結(jié)構(gòu)相似，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力依次增強(qiáng)
。②GaF3的熔點(diǎn)超過1000℃，可能的原因是
GaF3是離子晶體
GaF3是離子晶體
。（3）砷化鎵熔點(diǎn)為1238℃，立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞參數(shù)為a=565pm,晶體的密度為
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【答案】[Ar]3d104s24p1；3；GaCl3、GaBr3、GaI3的熔、沸點(diǎn)依次升高，它們均為分子晶體，結(jié)構(gòu)相似，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力依次增強(qiáng)；GaF3是離子晶體；
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3
【解答】
【點(diǎn)評】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：5引用：1難度：0.5
相似題
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1．一種從照相底片中回收單質(zhì)銀的方法如下：
步驟1：用Na2S2O3溶液浸泡照相底片，未曝光的AgBr轉(zhuǎn)化成Na3[Ag（S2O3）2]而溶解。
步驟2：在步驟1所得溶液中加稍過量Na2S溶液，充分反應(yīng)后過濾出黑色沉淀。
步驟3：將黑色沉淀在空氣中灼燒，回收單質(zhì)銀。
下列說法正確的是（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/20 1:30:2組卷：79引用：5難度：0.8 -
2．生活、實驗室中接觸的很多物質(zhì)含有第二周期的元素，比如：石墨、Na2O、配合物Na2[Fe（CN）5（NO）]等．
（1）①Na2[Fe（CN）5（NO）]中中心離子的未成對電子數(shù)為個．（寫具體數(shù)字）
②Na2[Fe（CN）5（NO）]中原子序數(shù)之和為15的兩種元素中第一電離能較大的是（寫元素名稱），二者能形成原子個數(shù)比為1：3的一種常見微粒，推測這種微粒的空間構(gòu)型為．
（2）石墨的結(jié)構(gòu)如圖1所示．若已知每個共價鍵的鍵長為142pm,可以計算出每個正六邊形的面積約為5.24×10-20m2，則將12g石墨單質(zhì)中的每一層都剝離出來彼此緊密連接，其總面積約為m2（NA=6.02×1023）．（保留3位有效數(shù)字，用科學(xué)記數(shù)法表達(dá)）
（3）Na2O的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，已知該晶胞的密度為ρ g?cm-3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，則晶胞邊長a=cm.發(fā)布：2024/12/20 8:0:1組卷：8引用：1難度：0.5 -
3．有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說法中錯誤的是（ ）
發(fā)布：2024/12/20 16:0:2組卷：181引用：4難度：0.7
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