GaN是制造芯片的新型半導(dǎo)體材料?；卮鹣铝袉栴}：
（1）鎵為第四周期的元素，基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為

[Ar]3d¹⁰4s²4p¹

[Ar]3d¹⁰4s²4p¹

。
（2）N、Si、P的電負(fù)性由強(qiáng)到弱順序?yàn)?

N＞P＞Si

N＞P＞Si

（元素符號(hào)表示，下同）；C、N、O的第一電離能由大到小順序?yàn)?

N＞O＞C

N＞O＞C

；N₂O的空間構(gòu)型為

直線型

直線型

。
（3）芯片制造中用到光刻膠，可由不飽和物質(zhì)甲基丙烯酸甲酯（）、馬來酸酐（）等通過加聚反應(yīng)制得。甲基丙烯酸甲酯中碳原子的軌道雜化類型為

sp²、sp³

sp²、sp³

，馬來酸酐分子中，σ鍵和π鍵個(gè)數(shù)比為

3：1

3：1

。
（4）GaN、GaP、GaAs的結(jié)構(gòu)類似于金剛石，熔點(diǎn)如表所示：

物質(zhì)	GaN	GaP	GaAs
熔點(diǎn)/℃	1700	1480	1238

請分析三者熔點(diǎn)變化的原因

GaN、GaP、GaAs均為原子晶體，原子半徑：N＜P＜As,與Ca原子形成的共價(jià)鍵鍵長逐漸增大，所以熔點(diǎn)逐漸下降

GaN、GaP、GaAs均為原子晶體，原子半徑：N＜P＜As,與Ca原子形成的共價(jià)鍵鍵長逐漸增大，所以熔點(diǎn)逐漸下降

。
（5）GaAs的晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲。將Mn摻雜到GaAs的晶體中得到稀磁性半導(dǎo)體材料（圖乙）。圖甲、圖乙晶體結(jié)構(gòu)不變。

①圖甲中，Ga原子的配位數(shù)為

4

4

，若GaAs晶體密度為ρ g?cm³，相對分子質(zhì)量為M，N_A表示阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值，則晶胞中距離最近的兩個(gè)Ga原子間距離為

2

2

×

3

4

M

ρ

N

A

×

1

0

7

2

2

×

3

4

M

ρ

N

A

×

1

0

7

nm。
②圖乙中a、b的坐標(biāo)分別為（0，0，0）和（1，1，0），則c點(diǎn)Mn的原子坐標(biāo)為

（

0

，

1

2

，

1

2

）

（

0

，

1

2

，

1

2

）

。摻雜Mn之后，晶體中Mn、Ga、As的原子個(gè)數(shù)比為

5：27：32

5：27：32

。