光刻技術(shù)需要利用深紫外激光,我國(guó)用氟硼鈹酸鉀(KBe2BO3F2)晶體制造的深紫外固體激光器技術(shù)領(lǐng)先世界,KBF4、B2O3、BeO是合成氟硼鈹酸鉀的主要原料。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)氧原子的價(jià)電子可以進(jìn)行重排以便提供一個(gè)空軌道與其他原子形成配位鍵,該氧原子重排后的價(jià)電子排布圖為 
,與基態(tài)原子相比,其能量 升高升高(填“升高”“不變”或“降低”)。
(2)KBF4高溫下可分解為KF和BF3。
①分解過(guò)程中B原子的雜化類型由 sp3sp3變?yōu)?sp2sp2。
②BF3分子中B-F鍵之間的夾角為 120°120°。
(3)在300℃真空條件下,通過(guò)H3BO3脫水可獲得無(wú)水B2O3。H3BO3是具有片層狀結(jié)構(gòu)的白色晶體,其中一層的結(jié)構(gòu)如圖1所示(虛線代表氫鍵)。

隨溫度的升高硼酸的溶解度顯著增加,試分析原因:加熱破壞了硼酸分子之間的氫鍵,硼酸分子與水分子之間形成氫鍵加熱破壞了硼酸分子之間的氫鍵,硼酸分子與水分子之間形成氫鍵。
(4)BeO晶體的晶胞示意圖如圖2(a代表O2-、b代表Be2+),設(shè)晶胞參數(shù)為apm:
①晶胞內(nèi)O2-與Be2+的最短距離為 3a43a4pm。
②以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置,稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo),如圖2中a處O2-坐標(biāo)為(0,0,0),則b處Be2+的坐標(biāo)為 (14,14,34)(14,14,34)。
③用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值,則BeO晶體的密度為 100NA×(a×10-10)3100NA×(a×10-10)3g?cm-3(用含a和NA的代數(shù)式表示)。


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a
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【答案】
;升高;sp3;sp2;120°;加熱破壞了硼酸分子之間的氫鍵,硼酸分子與水分子之間形成氫鍵;;(,,);

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【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:48引用:1難度:0.5
相似題
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1.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
(1)基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為
(2)(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
③SO42-中S原子的雜化方式為
(3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
(4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7 -
2.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數(shù)依次增大,其相關(guān)信息如下:
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù);
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對(duì)電子;
③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1;
④F原子有四個(gè)能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個(gè)電子.
試回答下列問(wèn)題:
(1)基態(tài)E原子中,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為
(2)B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
(3)B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性:BA4小于A2D,原因是
(4)以E、F的單質(zhì)為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應(yīng)式為
(5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,藍(lán)色沉淀溶解,得到深藍(lán)色溶液,再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇,析出深藍(lán)色晶體.藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為
(6)F的晶胞結(jié)構(gòu)(面心立方)如圖2所示:已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為發(fā)布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5 -
3.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉?wèn)題:
(1)基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為
(2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
(3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
(4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
(5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知:C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成),則平均每一個(gè)C60晶胞中有發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
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