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如圖所示,xOy平面內(nèi),x軸下方無電場,x軸上方被某直線邊界分割成兩部分,一部分充滿勻強電場(電場強度與y軸負方向成α角),另一部分無電場,該邊界與y軸交于M點,與x軸交于N點。只有經(jīng)電場到達N點、與x軸正方向成α角斜向下運動的帶電粒子才能進x軸下方區(qū)域。從M點向電場內(nèi)發(fā)射一個比荷為
q
m
的帶電粒子A,其速度大小為v0、方向與電場方向垂直,僅在電場中運動時間T后進入第四象限,且通過N點的速度大小為2v0。忽略邊界效應(yīng),不計粒子重力。
(1)求角度α;
(2)在該邊界上任意位置沿與電場垂直方向直接射入電場內(nèi)的、比荷為
q
m
的帶電粒子,只要速度大小適當(dāng),就能通過N點進入第四象限,求N點橫坐標及此邊界方程。
(3)若在x軸上N點左側(cè)發(fā)射比荷、電性均與A相同的帶電粒子B,其速度大小為8v0,方向與A粒子在M點發(fā)射時初速度相同,若B粒子恰過N點。求B粒子發(fā)射時的坐標及射出到運動至N點的時間。
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【答案】見試題解答內(nèi)容
【解答】
【點評】
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