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過渡金屬及其化合物在生產(chǎn)、生活中有重要的應(yīng)用。回答下列問題:
(1)基態(tài)Cu的價(jià)電子軌道表達(dá)式為
。
(2)一種含Ti的催化劑X能催化乙烯、丙烯等的聚合,其結(jié)構(gòu)如圖甲所示。X中,C原子的雜化類型有
sp3和sp2
sp3和sp2
,含有的作用力類型有
ACD
ACD
(填序號),非金屬元素電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?
O>Cl>C>H
O>Cl>C>H

A.π鍵
B.氫鍵
C.配位鍵
D.σ鍵
E.離子鍵

(3)分子中的大π鍵可用符號π
n
m
表示,其中m代表參與形成大π鍵的原子數(shù),n代表參與形成大π鍵的電子數(shù)。EMIM+離子由H、C、N三種元素組成,其結(jié)構(gòu)如圖乙所示,則EMIM+離子中的大π鍵應(yīng)表示為
π56
π56
。
(4)已知第三電離能數(shù)據(jù):I3(Mn)=3246kJ?mol-1,I3(Fe)=2957kJ?mol-1。錳的第三電離能大于鐵的第三電離能,其主要原因是
其中Mn2+電子排布呈半充滿狀態(tài),比較穩(wěn)定,失電子需要能量高,故錳的第三電離能大于鐵
其中Mn2+電子排布呈半充滿狀態(tài),比較穩(wěn)定,失電子需要能量高,故錳的第三電離能大于鐵
。
(5)黃銅礦是提煉銅的主要原料,其主要成分的晶胞結(jié)構(gòu)如圖丙。
①Cu2+周圍距離最近的S2-數(shù)為
4
4
。
②在高溫下,黃銅礦的主要成分的晶體中金屬離子可以發(fā)生遷移。若亞鐵離子與銅離子發(fā)生完全無序的置換,可將它們視作等同的金屬離子,在無序的高溫型結(jié)構(gòu)中,金屬離子占據(jù)
四面體空隙
四面體空隙
(填“四面體空隙”或“八面體空隙”)。
③該晶胞上下底商均為正方形,側(cè)面與底面垂直,晶胞參數(shù)如圖丙所示,設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,請計(jì)算該晶體的密度ρ=
4
×
184
N
A
a
2
b
×
10
30
4
×
184
N
A
a
2
b
×
10
30
g/cm3

【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算
【答案】;sp3和sp2;ACD;O>Cl>C>H;π56;其中Mn2+電子排布呈半充滿狀態(tài),比較穩(wěn)定,失電子需要能量高,故錳的第三電離能大于鐵;4;四面體空隙;
4
×
184
N
A
a
2
b
×
10
30
【解答】
【點(diǎn)評】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/4/20 14:35:0組卷:32引用:2難度:0.5
相似題
  • 1.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
    (1)基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為
     
    ;其最外層電子的電子云形狀為
     
    。
    (2)(NH42Fe(SO42?6H2O俗稱摩爾鹽
    ①NH4+電子式為
     
    。
    ②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
     
    (用元素符號表示)
    ③SO42-中S原子的雜化方式為
     
    ,VSEPR模型名稱為
     
    。
    (3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
     
    ;晶體的配位體為
     
    (用化學(xué)符號表示)
    (4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為
     
    g?cm-3

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7
  • 2.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
    (1)基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為
     

    (2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
     
    、
     
    ,所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為
     
    。
    (3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
     
    (由大到小,用H一R-H表示),其原因是
     
    。
    (4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
     

    (5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
     
    g/cm3。
    C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成),則平均每一個(gè)C60晶胞中有
     
    個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后,這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫(Cs)填滿所有空隙,距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為
     
     ?。

    發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
  • 3.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數(shù)依次增大,其相關(guān)信息如下:
    ①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù);
    ②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對電子;
    ③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1;
    ④F原子有四個(gè)能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個(gè)電子.
    試回答下列問題:
    (1)基態(tài)E原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為
     
    ,F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為
     

    (2)B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
     
    (用元素符號填寫),C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為
     

    (3)B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性:BA4小于A2D,原因是
     

    (4)以E、F的單質(zhì)為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應(yīng)式為
     

    (5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,藍(lán)色沉淀溶解,得到深藍(lán)色溶液,再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇,析出深藍(lán)色晶體.藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為
     

    (6)F的晶胞結(jié)構(gòu)(面心立方)如圖2所示:已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為
     
    g/cm3(阿伏加德羅常數(shù)用NA表示,F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示)

    發(fā)布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5
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